目前在中低壓應(yīng)用領(lǐng)域（比如1200伏器件），碳化硅外延的技術(shù)相對(duì)成熟。它的厚度均勻性、摻雜濃度均勻性以及缺陷分布可以做到相對(duì)較優(yōu)的水平，基本可以滿足中低壓 SBD、MOS、JBS 等器件需求。
但在高壓領(lǐng)域，目前外延片需要攻克的難關(guān)還很多。比如10000伏的器件需要的外延層厚度為100μm左右，該外延層的厚度和摻雜濃度均勻性比低壓器件的外延層差很多，尤其是摻雜濃度的均勻性，同時(shí)它的三角缺陷也破壞了器件的整體性能。在高壓應(yīng)用領(lǐng)域，器件的類(lèi)型趨向于使用雙極器件，對(duì)外延層的的少子壽命要求比較高，也需要優(yōu)化工藝來(lái)提高少子壽命。
當(dāng)前國(guó)內(nèi)外延主要以 4 英寸和 6 英寸為主，大尺寸碳化硅外延片占比逐年遞增。碳化硅外延尺寸主要受制于碳化硅襯底尺寸，當(dāng)前 6 英寸碳化硅襯底已經(jīng)實(shí)現(xiàn)商用，因此碳化硅襯底外延也逐漸從 4 英寸向 6 英寸過(guò)渡。
隨著碳化硅襯底制備技術(shù)的提升及產(chǎn)能擴(kuò)張，碳化硅襯底價(jià)格正在逐步降低。在外延片價(jià)格構(gòu)成中，襯底占據(jù)了外延 50%以上的成本，隨著襯底價(jià)格的下降，碳化硅外延價(jià)格也有望降低。
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