碳化硅 （SiC） 寬禁帶半導體材料是目前電力電子領域發展最快的半導體材料之一。絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 是全控型的復合器件，具有工作頻率高、開關損耗低、電流密度大等優點，是高壓大功率變換器中的關鍵器件之一。但 SiC IGBT 存在導通電阻高、關斷損耗大等缺點。針對上述挑戰，對國內外現有的新型 SiC IGBT 結構進行了總結。分析了現有的結構特點，結合新能源電力系統的發展趨勢，對 SiC IGBT 的結構改進進行了歸納和展望。
功率半導體技術作為微電子器件領域的重要分支，在綠色能源、航天、交通運輸和電力傳輸等方面有著廣泛的應用，并對人們的生產生活方式產生了十分深刻的影響。目前，功率半導體技術水平的高低已成為一個*科技發展水平和綜合實力的重要體現，因此當今*各國特別是發達*都把該技術作為科技發展的重中之重。半導體器件自身性能與其所使用的材料密切相關。在半導體材料的發展歷程中，人們習慣于把硅（Si）、鍺（Ge）等材料稱為傳統半導體材料，將砷化鎵（GaAs）和磷化銦（InP）等稱為窄禁帶半導體材料，將碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）和氮化鋁（AlN）等稱為寬禁帶半導體材料。與傳統半導體材料 Si 和窄禁帶半導體材料 GaAs 相比，SiC 材料具有帶隙寬（是 Si 的 2.9 倍）、臨界擊穿電場高（是 Si 的 10 倍）、熱導率高（是 Si 的 3.3 倍）、載流子飽和漂移速度高（是Si 的 1.9 倍）以及化學穩定性和熱穩定性*等特點，是制造新一代高溫、大功率電力電子和光電子器件的理想材料。在具備相同擊穿電壓的情況下，SiC 基功率器件的導通電阻只有 Si 器件的 1/200，極大地降低了變換器的導通損耗，這使得 SiC 材料在功率半導體領域有著巨大的應用潛力。另外，SiC 器件的散熱效率高，能大幅降低器件外圍冷卻設施的體積和重量，因此，SiC 功率器件也被稱為綠色能源革命中的核心器件。經過三十多年的發展，SiC 在材料生長與器件制備等方面都取得了長足的進展，其商品化水平不斷提高。進一步推動 SiC 產業化發展進程、擴大 SiC 功率器件市場份額已成為寬禁帶半導體材料與器件領域的重要研究課題。
絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）作為功率半導體全控型器件，集功率 MOSFET 的高速性能與雙極型器件的高增益于一體，具有輸入阻抗高、電壓控制功耗低、控制電路簡單、驅動功率小、通態電阻低等特性，廣泛應用在新能源汽車、軌道交通、智能電網、綠色能源等領域。SiC 基 IGBT 較 Si 基 IGBT 具有高耐壓、高功率的特點，然而其在發展過程中也遇到較大的挑戰，如導通特性較差、電導調制不強、關斷速度較慢等。為解決以上問題，新型結構的 SiC 基 IGBT 結構應運而生。
本文概述了 SiC IGBT 的發展歷程，梳理了 P 溝道 SiC IGBT 和 N 溝道 SiC IGBT 的經典器件，總結了SiC IGBT 的發展現狀和發展趨勢。
通常來講，全控型半導體器件可以依照其導通狀態下的載流子類型分為單極型半導體器件和雙極型半導體器件，在每一類中又可以分為電流控制型和電壓控制型。
在較低阻斷電壓的應用中，大多使用單極型半導體器件。最常用的單極型半導體器件是金屬-氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET），目前利用 SiC 材料制 備 溝 槽 柵 MOSFET （UMOSFET） 或 者 雙 注 入MOSFET（DMOSFET 或 DiMOSFET）已經有大量的報道。雖然使用 SiC 材料可以使臨界電場增加，但隨著阻斷電壓的提高，單極型半導體器件的漂移區電阻不可避免地迅速增加，導通壓降也隨之增加。因此在更高電壓的應用中，單極型半導體器件往往難以勝任。
雙極型半導體器件同樣具有厚的漂移區，與單極型半導體器件不同，對于雙極型半導體器件，如IGBT、柵控晶閘管（GTO）和電力晶體管（GTR），在導通狀態下，少數載流子會注入到漂移區中，形成漂移區的電導調制現象，提高了漂移區的導電能力，降低了器件的導通壓降。然而這些少數載流子在關斷過程中需要被去除，又導致了大的關斷損耗，因此 GTO 等器件只適用于對開關頻率要求不高的高阻斷電壓應用中。目前 SiC GTO 和 SiC GTR 也有相當多的報道。
GTO 和 BJT 的開啟和關斷依賴柵極或基極的控制，這一弱點使電路設計者需要為其設計復雜的控制系統。為了解決這一問題，Baliga 提出了 IGBT 的概念，其兼有 MOSFET 的高輸入阻抗和 GTR 的低導通壓降兩方面的優點，并逐步發展出了多種 IGBT 結構。近年來，由于各項工藝的進步，越來越多的研究小組參與到 SiC IGBT 的研究中。
SiC IGBT 的發展歷程較短，國內外 SiC IGBT 部分發展歷程如圖 1 所示，1996 年，RAMUNGUL 等人制作出了*個溝槽結構的 6H-SiC IGBT，通過該器件驗證出在相同的漂移層厚度下，SiC IGBT 的最大電流密度比 SiC MOSFET 高十倍左右。1999 年，SINGH等人制作出了*個 4H-SiC P 溝道溝槽型 IGBT，在室溫下其導通電阻為 32 Ω·cm2，該器件設計阻斷電壓為 790 V，但由于沒有解決寄生 NPN 晶體管的高增益問題，其在 85 V 時便被擊穿。之后的 SiC IGBT 基本使用 4H-SiC 制作，因為相比于其他晶型的 SiC，4H-SiC 擁有較高的熱導率，而且其電子遷移率各向異性弱，遷移率更高。同時從單晶襯底角度看，4H-SiC 的施主雜質濃度更高，這意味著器件的電阻率也更低。2005 年，ZHANG 等人*制作出 10 kV N 溝道溝槽型 IGBT，其在室溫下比導通電阻為 17 mΩ·cm2。在SiC IGBT 器件研究歷程的前期，研究多是集中在 P 溝道的 SiC IGBT，原因是相比于 N 型的襯底，P 型襯底的電阻率更低且缺陷更多。隨著研究的不斷深入，SiC IGBT 的性能也逐步提升，導通電阻更是呈現不斷進步的趨勢，2007 年，ZHANG 等人引入電荷存儲層（CSL），在消除 JFET 效應的同時增強電導調制效應，使制作出的器件導通電阻進一步降低，該器件阻斷電壓為7.5 kV，在室溫下其比導通電阻約為 26 mΩ·cm2。2010 年，WANG 等人在獨立 4H-SiC 外延片上使用翻轉工藝在 Si 面上生長 P 型集電區，制作出了 N 溝道平面型 IGBT，該器件的漂移區厚度為 180 μm，其阻斷電壓為 20 kV，在 300 W/cm2 的功率密度下，電流密度可達到 27.3 A/cm2。2013 年，YONEZAWA 等人在翻轉工藝的基礎上采用翻轉注入外延的方法制作出了帶有 CSL 的 N 溝道平面型 IGBT，該器件阻斷電壓可達 16 kV，電流密度為 100 A/cm2 時，正向導通電壓為5 V。2014 年，HINOJOSA 等人利用 N 型襯底制備出了阻斷電壓為 20 kV 的 N 溝道平面型 IGBT，該器件的比導通電阻為 28 mΩ·cm2。2018 年，YANG 等人研制出國內* 12 kV N 溝道平面型 IGBT，該器件在集電極電壓為 12 kV 時，漏電流小于 10μA，當正向導通電流密度為 24 A/cm2 時，比導通電阻為 140 mΩ·cm2。2019 年，WEN 等人研制出國內首枚 10 kV P 溝道平面型 IGBT，該器件采用六角形元胞設計并使用階梯空間調制型結終端拓展（SSM-JTE）終端結構，在 300 W/cm2的功率密度下，其比導通電阻為 56.92 mΩ·cm2，同時在集電極電壓為-10 kV 時，其漏電流僅為 50 nA。2020 年，*電網研制了國內首枚 18 kV/12.5 A N 溝道 SiC IGBT。2022 年，楊曉磊等人在 N 型 SiC 襯底上制備了國內首枚超 20 kV SiC N 溝道 IGBT 器件，該器件阻斷電壓為 20.08 kV 時，漏電流僅為 50 μA，當柵電極施加 20 V 電壓、集電極電流為 20 A 時，器件的導通電壓為 6.0 V，此時器件的微分比導通電阻為27 mΩ·cm2。自此，國產 SiC IGBT 的研究開始緊跟國際步伐。
IGBT 器件具有 P 溝道和 N 溝道兩種類型。P 溝道 IGBT 可以看作 P 溝道 MOSFET 和 NPN 型雙極型晶 體 管 的 混 合 ，N 溝 道 IGBT 可 以 看 作 N 溝 道MOSFET 和 PNP 型晶體管的混合。P 溝道與 N 溝道IGBT 結構如圖 2 所示。可以看出，N 溝道 IGBT 基本結構與 P 溝道 IGBT 相同，摻雜類型與 P 溝道 IGBT反型。
3.1 P 溝道 SiC IGBT 器件結構與特性
P 溝道 SiC IGBT 的率先發展源于高質量 N 型摻雜 SiC 襯底的成熟應用。因此，早期 SiC IGBT 器件研究重點為 P 溝道 IGBT 器件。由于早期高溫離子注入的工藝不成熟，P 溝道 IGBT 多采用溝槽柵結構。SINGH 等人于 2003 年制備出了最早的 P 溝道槽柵4H-SiC 及 6H-SiC IGBT，P 溝道溝槽柵 IGBT 基本結構如圖 3 所示。
SINGH 對器件在不同溫度下的性能進行了測試，在室溫下（300 K），該器件閾值電壓約為-28 V，柵擊穿電壓約為-40 V，導通電壓約為-7.1 V，導通電流為20 mA 時，導通壓降約為-11.25 V，器件的漏-源擊穿電壓約為-85 V。較低的擊穿電壓預示著需要增加 P+緩沖層的厚度或者 P+ 緩沖層的摻雜。當器件柵壓偏置在-32 V 時，室溫下其微分比導通電阻為 32.68 Ω·cm2；當溫度上升至 350℃時，微分比導通電阻為 0.226 Ω·cm2。當器件柵壓偏置在-34 V 時，在室溫下其微分比導通電阻為 66.7 Ω·cm2；溫度升高到 400 ℃時，器件表現出了較好的輸出特性，導通電流密度大幅上升，微分比導通電阻僅為 0.297 Ω·cm2。
隨著溫度的增加，器件具有更好的輸出特性，可能源于以下原因：①歐姆接觸電阻隨著溫度的增加而減小；②器件柵氧化層界面態密度隨著溫度的增加而降低；③漂移區載流子壽命隨著溫度的增加而增加；④PN 結內建電場隨著溫度的增加而減小；⑤雜質的激活率隨著溫度的增加而增加。在研究器件柵漏電的測試中發現，當溫度超過 100 ℃時，器件出現了柵極漏電，該漏電會隨著發射極-集電極偏壓的增加而降低，這預示著在高溫下，槽柵結構 IGBT 器件在槽柵底部邊角處可能會存在漏電路徑。器件在不同溫度下的輸出特性曲線及柵極漏電情況如圖 4 所示。
SINGH 還比較了 400 ℃下溝道位于不同晶面上的器件的性能，結果顯示，在（1120）晶面上制備的器件的集電極電流大約比（1100）晶面上制備的器件高兩個數量級。對這一現象的解釋是 SiC-SiO2 表面的碳簇會影響表面質量，進而造成界面態密度的增加，導致溝道載流子遷移率的下降，（1120） 表面碳原子相比于（1100） 面上更少，也許是導致高遷移率的原因。SINGH 的工作沒有使用有效的終端技術，導致阻斷電壓（85 V）遠低于理論值（約 3600 V）。柵氧化層退火工作的缺失也導致溝道載流子遷移率的低下，進而導致器件溝道電阻的增加。P 發射極歐姆接觸特性也有待提高，質量較低的歐姆接觸導致了較高的正向壓降，但槽柵結構以及（1120）溝槽晶面的選擇為后續溝槽柵IGBT 器件的研究提供了思路。然而溝槽柵 IGBT 的柵氧化層擊穿等問題導致器件的可靠性較低，隨著高溫離子注入技術的解決，研究的重點轉移到了平面柵IGBT 上。
2006 年，ZHANG 等人*次制備了平面柵 P溝道 IGBT。采用 JFET 區注入制備的 SiC P 溝道IGBT 如圖 5 所示，器件元胞大小為 29 μm，使用高質量的 N 型襯底，外延生長 2 μm 的 P 型緩沖層，摻雜濃度為 1×1017 ~2×1017 cm-3，之后生長 50 μm 摻雜濃度為2×1014~6×1014 cm-3 的 P 型外延層。N 阱和 P 型發射極分別使用氮（N）和鋁（Al）離子注入形成，相鄰 N 阱之間的 JFET 區利用離子注入降低了 JFET 電阻，注入濃度為 1×1016 ~2×1016 cm-3，器件使用離子注入形成的場環作為終端保護，離子注入激活溫度約為 1700 ℃。使用等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）厚度約為1 μm 的場氧化層，柵介質層通過熱氧化形成，厚度為40~60 nm，經過濕氧再氧化后，再在一氧化氮（NO）環境下退火，保證柵氧化層質量。器件的 N 型歐姆接觸使用 Al/Ni 作為接觸金屬，P 型歐姆接觸使用 Ni 作為接觸金屬，Ti/Au 作為背金屬，整個器件有源區面積約為 4.5 mm2。
平面柵 IGBT 阻斷特性曲線如圖 6（a）所示，在柵壓為 0 V 時，阻斷電壓約為 5.8 kV，此時漏電流密度小于 0.02 mA/cm2。柵壓為-30 V 時，25 ℃下，微分比導通電阻約為 570 mΩ·cm2，沒有表現出*的輸出特性。不同溫度下器件輸出特性曲線如圖 6（b）所示，可以看 到，當溫度為 300 ℃時，比導通電阻下降為118 mΩ·cm2。比導通電阻隨溫度的增加而減小的主要原因是載流子壽命的增加，測試結果顯示，室溫下雙極型載流子壽命約為 370 ns，導致器件的電導調制效率很低，導通電阻較大。溫度提高后，漂移區雙極型載流子壽命增加，使導通電阻大大減小。類似結構的PMOSFET 器件載流子遷移率測試結果顯示，溝道載流子遷移率峰值為 2.35 cm2/(V·s)。遷移率低的原因一是通過離子注入形成的 P 型溝道的低遷移率特性，二是 SiO2/SiC 表面的固定電荷。該器件的閾值電壓僅為-12 V，滿足了工業界-20 V 以內閾值電壓的要求。
ZHANG 還對器件的動態特性進行了測試。導通狀態下，柵壓偏置為-27 V 時，集電極電流為 0.75 A，集電極電壓偏置為-400 V，將器件關斷用時約為750 ns；當溫度上升至 130 ℃時，器件的雙極型載流子壽命由 370 ns 上升至約 1.1 μs，關斷用時大大增加。開關特性測試結果顯示，器件的開啟時間要遠高于關斷時間，這是由于器件具有高的密勒電容。ZHANG 指出，將 JFET 區雙極型載流子壽命提高到 2 μs 以上、溝道遷移率提高到 10 cm2/(V·s)以上時，可以獲得較低的比導通電阻。該工作是對 P 溝道平面柵 IGBT 的*探索，其使用離子注入的方法制作出 N 阱和 P 發射區，并實現了平面柵 IGBT 的制作，同時利用離子注入降低 JFET 區域的電阻，并指出了雙極型載流子壽命對器件輸出特性的重要性，分析了溝道遷移率較低的原因，為之后的平面柵 IGBT 的制作提供了參考。
2013 年，KATAKAMI 等人制備了高溝道載流子遷移率的 P 溝道 IGBT，最大載流子遷移率達到了13.5 cm2/ (V·s)。P 溝道 SiC IGBT 器件結構如圖 7 所示。器件以 N 型摻雜作為襯底，器件外延層包括一個76 μm 厚、摻雜濃度為 1.2×1014 cm-3 的 P 型漂移層和一個 2.5 μm 厚、摻雜濃度為 1.8×1017 cm-3 的 P 型緩沖層，用以阻斷 12 kV 的電壓。器件漂移區載流子壽命為0.8~1.6 μs，使用 2 個注入集成方案的 JTE 作為終端保護。器件單元長度、溝道長度和 JFET 區長度分別是15 μm、1.5 μm 和 3 μm。
為 了 探 尋 最 合 適 的 柵 氧 化 層 形 成 方 法 ，KATAKAMI 比較了采用不同柵氧化層退火方法的器件的特性。作者制備了 3 個 MOSFET 器件，經過1200 ℃干氧氧化形成柵氧化層，之后在 950 ℃或1100 ℃下進行濕氧二次氧化 （樣品 1、2），或者在1200 ℃下進行一氧化二氮（N2O）退火（樣品 3）。結果顯示，在相同的柵壓下，采用 1100 ℃濕氧再氧化的方法制成柵氧化層的器件（樣品 2）具有最高的溝道遷移率，為 14.7 cm2/(V·s)，同時擁有最大的溝道電流，其在25 ℃下阻斷電壓大約為 10.2 kV，漏電電流密度為1 μA/cm2，器件的微分比導通電阻為 24 mΩ·cm2。1100 ℃下進行濕氧再氧化退火的器件比在 950 ℃進行濕氧再氧化退火的器件導通特性更好。采用 N2O 對柵氧化層進行退火的器件具有較低的載流子遷移率和溝道電流。
KATAKAMI 還比較了工作在不同溫度下、通過1100 ℃濕氧二次氧化柵進行退火的器件的一些特性，SiC P 溝道 MOSFET 器件輸出特性曲線如圖 8（a）所示，閾值電壓及溝道載流子遷移率與溫度的關系如圖8（b）所示，隨著溫度的提高，閾值電壓的*值發生輕微的下降，溝道載流子遷移率隨溫度先輕微上升，之后下降。KATAKAMI 的工作主要針對器件的溝道遷移率，作者分析了不同的柵氧化層形成方法，且分析了器件閾值電壓和溝道載流子遷移率隨溫度變化的關系，為后續溝道遷移率的提升提供了有效渠道。
2019 年，WEN 等人制作出 10 kV P 溝道 IGBT，該器件使用六角形元胞設計和 SSM-JTE 終端結構，10 kV P 溝道 IGBT 器件結構如圖 9（a）所示，SSM-JTE結構如圖 9（b）所示。由于平面型器件制作工藝較為簡單且可以保證較高的柵氧化層可靠性，因此該器件使用平面柵結構。整個器件的外延生長都是在一個晶軸偏 4°角、350 μm 厚的 4 英寸 4H-SiC 襯底片上。首先生長一層 2 μm 厚、摻雜濃度為 2×1017 cm-3 的 P 型緩沖層，之后繼續生長 100 μm 厚、摻雜濃度為 2×1014 cm-3的 P 型漂移區。漂移區的載流子少子壽命為 1.2 μs。為保證柵氧化層的可靠性，同時盡可能地提升器件的通態特性，在條形元胞中 JFET 區域的寬度設計為10 μm，六角形元胞中 JFET 區域的寬度設計為 8 μm。這樣可以保證在阻斷電壓為 10 kV 的情況下，兩種元胞的柵氧化層電場強度均小于 4.5 MV/cm。考慮到器件制作過程中摻雜的激活率問題，器件的 SSM-JTE 的寬度設計為 530 μm，這樣可以保證足夠寬的工藝窗口。同時，為降低器件開啟時的電阻，該器件使用自對準技術制作溝道，所制作出來的器件有源區 為2.25 mm2，整個器件為 3 mm×3 mm。
使用不同終端結構的六角形元胞器件阻斷特性曲線如圖 10 所示，在阻斷電壓為-10 kV 的情況下，寬度為 200 μm 的雙 JTE 結構和寬度為 500 μm 的雙JTE 結 構 漏 電 流 分 別 為 970 nA 和 590 nA，而SSM-JTE 結構的漏電流僅為 50 nA，原因為 SSM-JTE結構內部的環可以消除電場擁擠現象，從而降低漏電流。
使用條形元胞設計和六角形元胞設計的器件輸出特性曲線如圖 11 所示。可以看出，與仿真數據相比，實際制作出來的器件導通電阻偏大，其主要原因為以下 3 點：（1）在界面處，表面復合降低了雙極型載流子的壽命；（2）源區的歐姆接觸電阻較高，因而產生了較高的壓降；（3）緩沖層和發射層所形成的 PN 結注入效率較低。根據輸出曲線可知，條形元胞和六角形元胞設計的器件，在 300 W/cm2 的條件下，輸出電流分別為34.2 A/cm2 和 38.9 A/cm2。六角形元胞設計的器件性能優于條形設計，其原因為六角形結構的寬長比為 4.1×105，而條形結構的寬長比為 2.9×105。該工作比較了條形結構設計與六角形結構設計的輸出特性，為以后的器件元胞結構設計提供了參考；同時，在終端中使用的 SSM-JTE 結構也在阻斷狀態下大幅降低了器件的漏電流，這表明與雙 JTE 結構相比，SSM-JTE 更適用于高壓器件之中。
自 2002 年 SINGH 等人制作出*個 P 溝道 SiC槽柵 IGBT 以來，科研人員對于 P 溝道 SiC IGBT 的研究已走過二十個年頭，器件結構的研究重點也由溝槽柵逐漸轉換為平面柵，這是工藝的逐步成熟與器件性能需要的共同選擇（高溫離子注入技術問題得到了解決，同時平面柵結構的柵氧化層可靠性更高），針對平面柵 IGBT 的結構特點，科研人員做出了以下優化：引入自對準源區注入方法，在器件中實現了窄溝道，使器件表現出較好的導通特性和高溫穩定性；針對平面柵 SiC IGBT 中難以產生電導調制的 JFET 區域，采用CSL 結構代替 JFET 區的離子注入，在降低 JFET 電阻的同時避免了離子注入的不利影響，還通過抑制 NPN晶體管提高了 P+ 發射極的注入效率。其他一些因素對器件特性的影響同樣重要，如少數載流子的壽命、溝道遷移率、器件元胞結構設計與終端設計等，作者認為，相關的研究對以后的器件制備將產生深遠的影響。在對 P 溝道 SiC IGBT 進行探索的過程中，科研人員還發現相比于 N 溝道 SiC IGBT，P 溝道 SiC IGBT擁有更好的阻斷特性，且在高溫下導通特性更好。相信未來 P 溝道 SiC IGBT 將在相應的領域發揮巨大的作用。
3.2 N 溝道 SiC IGBT 的研究、制備
由于 N 溝道 IGBT 需要高質量的 P 型襯底，P 型襯底這些年來一直發展較慢，在一定程度上延緩了SiC N 溝道 IGBT 器件的發展。然而，由于電子相對空穴具有較高的遷移率，能夠帶來更低的導通壓降，同時 N 溝道 IGBT 具有與現有電力電子系統兼容的特性，因此 N 溝道 IGBT 器件的研究具有很高的現實意義。
2008 年，DAS 等人制備了*個 13 kV N 溝道IGBT，其結構如圖 12 所示，器件在使用高質量 p型襯底的基礎上制備，JFET 區進行 N 注入實現更高的摻雜，離子注入退火溫度為 1600 ℃以上，使用 Si 壓抑制表面重構和 Si 原子蒸發，場氧厚度為 0.8 μm，柵氧化層厚度為 50 nm，使用熱氧化的方式生長，在 NO 環境下退火。經測試顯示，該器件的開啟電壓大約為 3 V，微分比導通電阻約為 22 mΩ·cm2，器件阻斷電壓達到了 13 kV，不同溫度下器件的輸出特性如圖 13（a）所示，隨著溫度的上升，器件的導通特性下降，跨導降低。器件的開啟電壓隨溫度的上升而略微增加，不同溫度下器件的阻斷特性如圖 13（b）所示，阻斷電壓隨溫度的上升而略有下降，但在 200 ℃的溫度下依然能夠阻斷超過 10 kV 的電壓。該器件表現出了*的導通特性，但動態特性稍有不足，電壓上升的時延較長，這表明該器件柵極結構設計存在問題，需進一步完善相關結構。
2014 年，YONEZAW 等人制備了翻轉型注入外延 N 溝道 SiC IGBT，其基本結構如圖 14 所示。器件使用 N 型襯底，在（0001）面上依次生長 N型緩沖層，150 μm 厚的 N型漂移區，N+ 緩沖層，P+ 集電極區；翻轉器件后去除 N型襯底和 N型緩沖層，并生長 N型CSL 層。離子注入形成 P 阱底部后進行 P 型外延生長，注入形成 N型 JFET 區、P+ 基區以及 N+ 源區。器件的終端由兩個 box 的 JTE 形成，總長度為 750 μm。柵氧化層經過干氧氧化后在富 N 環境下退火形成。器件元胞大小為 14.8 μm，器件尺寸為 8 mm×8 mm，器件有源區面積大小為 0.37 cm2。測試結果顯示，在柵壓為0 V 時，器件達到了 16 kV 的阻斷電壓，導通電流分別為 20 A 和 60 A 時，正向壓降分別為 4.8 V 和 7.2 V，微分比導通電阻為 23 mΩ·cm2，器件開啟電壓約為4.8 V。在可靠性方面，器件的閾值電壓穩定性如圖15（a）所示，器件在柵壓分別為-30 V 和 30 V 兩種情況下，經過 1000 s 的老化測試，閾值電壓依然保持穩定，最大閾值電壓偏移在 0.1 V 以內。不同溫度下器件的輸出特性如圖 15（b）所示，結果顯示器件的輸出特性具有*的溫度穩定性。
YONEZAW 很好地制備出 16 kV N 溝道 IGBT，但其方法十分復雜，所需外延及離子注入工序極多，有很大的制備難度。目前有關 N-IGBT 成功制備的報道并不是很多，主要是因為高質量的 P+ 襯底難以獲得，而采用翻轉外延生長的方式又會因為晶面選擇和外延層質量等因素存在影響器件性能的問題。
2022 年，楊曉磊等人制備出了一種耐壓超過 20 kV的超高壓 SiC N 溝道 IGBT，其基本結構和制備方案分別如圖 16、17 所示。該團隊通過在 N 型 4H-SiC 襯底上生長所需的關鍵外延層，包括 N漂移層、N+ 緩沖層以及 P+ 集電極層，采用 SiO2 作為各區域的注入掩模，使用多次離子注入形成 P 阱、P+ 區域和 N+ 區域；同時對 JFET 區域進行單獨的 N 型離子注入，所有注入完成后在 1650 ℃的 Ar 環境下退火以激活注入離子。退火后，通過犧牲氧化去除表面碳層，濕法表面清洗后放入高溫氧化爐中進行干氧氧化，形成柵氧化層。采用 NO 高溫退火技術，有效降低柵氧界面陷阱密度，最終將氧化層厚度控制在 50 nm 左右。在柵氧工藝完成后，通過在柵氧化層上沉積多晶 Si 實現柵電極的制作。采用氧化硅 / 氮化硅（SiO2/SiN）介質實現柵極和發射極的隔離以及表面鈍化。發射極的歐姆接觸由金屬 Ni 實現，介質孔刻蝕后通過加厚 Al 層完成發射極單胞之間的互聯。器件正面結構完成后通過減薄 /背面研磨的方法去除 N 型襯底，保留部分 P+ 層，接著蒸發背面歐姆金屬，并使用激光退火完成背面的歐姆接觸。
超高壓 SiC N 溝道 IGBT 阻斷特性如圖 18（a）所示，該器件擊穿電壓可以達到 20 kV，當集電極電壓為20.08 kV 時，漏電流為 50 μA。超高壓 SiC N 溝道IGBT 輸出特性如圖 18（b）所示，該器件在柵壓為20 V、集電極電流為 20 A 時，其微分比導通電阻為27 mΩ·cm2。
該團隊還使用了長時間的高溫氧化工藝對器件進行少子壽命的提升，通過高溫熱氧化過程，使得部分碳原子擴散到體區并填補碳空位，消除 Z1/2 缺陷中心。高溫熱氧化處理前后超高壓 SiC N 溝道 IGBT 的輸出特性如圖 19 所示，芯片 A 引入了載流子壽命提升工藝，芯片 B 未引入載流子壽命提升工藝。觀察發現，芯片 B 在柵極電壓為 20 V、集電極電流密度為70 A/cm2 的條件下，器件導通壓降為 16.2 V，引入載流子壽命提升工藝后，芯片 B 在同等測試條件下，其導通壓降降至 6.5 V，這一結果也恰好驗證了載流子壽命的提升能有效提高 SiC N 溝道 IGBT 器件的導通能力。
該超高壓 SiC N 溝道 IGBT 器件在制備過程中通過引入高溫熱氧化的載流子壽命提升技術，有效提高了其電導調制效應。且該器件在柵壓為 20 V、集電極電流為 20 A 時，其微分比導通電阻為 27 mΩ·cm2，進一步縮小了與國際先進器件之間的差距。
2022 年，WATANABE 等人對 SiC IGBT 引入了盒式元胞布局，該布局在傳統的條形元胞布局的基礎上進行了優化，增強了器件的電導調制，降低了器件的通態損耗，小幅增加了器件的關斷損耗，N 溝道IGBT 器件結構如圖 20 所示，條形元胞布局與盒式元胞布局如圖 21 所示。該器件基于 N 型的 SiC 襯底，生長 95 μm 厚的 N型漂移層，用來承受 10 kV 的阻斷電壓，再生長一層 N型的緩沖層，由于沒有可用的 P 型襯底，之后需要在緩沖層的下面外延生長一層高摻的 P型層作為器件的空穴注入層。接著將器件的 N型襯底去除，在器件漂移區的頂部制作表面結構。
接著，WATANABE 討論了器件的靜態特性，盒式元胞布局的 IGBT 器件相比條形元胞布局在同樣的面積下具有更大的溝道寬度，這會增強器件源區的電子注入。另外，盒式元胞布局的 IGBT 器件的頂部 P+ 區域面積更小，這將抑制發射極的空穴泄漏，同時可以增強器件的電導調制。條形元胞布局和盒式元胞布局的 IGBT 器件的輸出特性對比如圖 22 所示，對于200 A/cm2 的電流密度，盒式元胞布局的 IGBT 器件和條形元胞布局的 IGBT 器件導通電壓分別為 6.5 V 和7.4 V，盒式元胞布局使導通電壓得到了降低。另外，盒式元胞布局的 IGBT 器件的特征微分比導通電阻為13 mΩ·cm2，該值比條形元胞布局的 IGBT 器件低了 35%。
隨后，WATANABE 分析了器件的動態特性，盒式元胞布局的 IGBT 器件的關斷速度會比同樣條件下的條形元胞布局的 IGBT 器件略慢，并且關斷損耗會有輕微的增加。3.6 kV 和 125 A/cm2 的轉換條件下兩種元胞布局的 IGBT 器件結構對應的關斷曲線如圖 23（a）所示，相比條形元胞布局的 IGBT 器件，盒式元胞布局的 IGBT 器件關斷速度從 13.8 kV/μs 降低到了 12.5 kV/μs，關斷損耗從 53.1 mJ/cm2 增加到了55.9 mJ/cm2。不同集電極電流下兩種元胞布局的 IGBT器件結構對應的關斷損耗如圖 23（b）所示，即使在電流為 300 A/cm2 的轉換條件下，盒式元胞布局的 IGBT器件相比條形元胞布局的 IGBT 器件關斷損耗也只增加了 7%。盒式元胞布局提高了 IGBT 器件靠近發射極的漂移區載流子濃度，這部分載流子的抽取造成了器件的關斷速度降低和關斷損耗增加。
最后，WATANABE 討論了盒式元胞布局對 IGBT器件閂鎖效應的影響。相比于傳統的條形元胞布局，盒式元胞布局的 IGBT 器件 P 型體區和發射極電極的接觸面積更小，從而具有更大的接觸電阻，使得 IGBT器件更加不易發生閂鎖。300 A/cm2的狀態下盒式元胞布局的 IGBT 器件結構對應的關斷曲線如圖 24 所示，器件在 300 A/cm2 的狀態下也沒有發生閂鎖效應。
盒式元胞結構與六角形元胞結構設計思路相同，相比于條形元胞分布，盒式元胞分布的溝道寬度更大，且該布局更易產生電導調制，因此盒式元胞布局的導通特性更好，該布局提升了器件靠近發射極的漂移區載流子濃度，故關斷時間更長，盒式元胞布局因其具有發射極更大的接觸電阻，同樣可以提升抗閂鎖能力。
相比于 P 溝道 SiC IGBT，N 溝道 SiC IGBT 發展較晚，這是由于 SiC 有低電阻率以及低缺陷密度的 N型襯底而缺少高質量的 P 型襯底，在這些高電阻率和缺陷密度的 P 型 SiC 襯底上直接生長出來的 N 型 SiCIGBT 質量很差。但是因為 SiC 材料電子的遷移率比空穴的遷移率高，理論上來說，N 溝道 SiC IGBT 將比P 溝道 SiC IGBT 具有更好的導通特性，所以科研工作者一直致力于高質量 N 溝道 SiC IGBT 的研發。由于對 N 溝道 SiC IGBT 的研究較晚，P 溝道 SiC IGBT 中已摸索的工藝如反向外延生長和自對準技術可直接使用到 N 溝道 SiC IGBT 中。但是對于 N 溝道 SiC IGBT 的動態特性仍需要進一步研究，無論是柵極與柵極驅動的優化設計，還是關斷時電場的平緩度，都是未來器件設計與應用中需重點關注的內容。
本文從 P 溝道 SiC IGBT 和 N 溝道 SiC IGBT 發展歷史中的經典器件入手，介紹了各種 SiC IGBT 器件的制作過程與相關性能，并就 SiC IGBT 的工藝優化與結構優化進行了報道，對比了 P 溝道 SiC IGBT和 N 溝道 SiC IGBT 的優缺點。P 溝道 SiC IGBT 在阻斷能力與高溫下的導通能力具有明顯優勢，而 N 溝道SiC IGBT 在常溫下的導通能力更具優勢。SiC IGBT的結構由溝槽型逐步變為平面型，這與相關工藝的進步與平面型器件與生俱來的優勢有關。平面型器件的JFET 區電阻較高，因此 CSL 應運而生，其在降低JFET 電阻的同時避免了離子注入的不利影響。除了傳統的元胞結構外，六角形元胞結構與盒式元胞結構因其更高的寬長比更易獲得更好的導通能力。對于 SiCIGBT，終端結構同樣重要，優秀的終端結構可以減緩電場的擁擠效應，進一步降低漏電流。
過去，對 SiC IGBT 的研究主要集中在美國和日本，國內起步較晚，但是在高壓大功率輸電、軌道交通等領域的大量應用驅動以及*能源轉型和碳達峰等政策的指導下，近幾年中國的 SiC IGBT 研制取得了較好的成果和進展。目前 SiC IGBT 的相關工作還是以器件結構設計與仿真為主，解決器件制造的相關問題，制備出性能優異的 SiC IGBT 器件將是未來該領域重要的發展方向。在結構設計方面，業界針對器件集電區和發射極的結構改進已經做了很多工作，但超結 SiC IGBT 的設計相對較少，還有很大的研發空間；另外將 Si IGBT 的結構借鑒到 SiC IGBT 也是 SiC IGBT 研發的重要思路，但是在借鑒的過程中要重點注意 Si 材料和 SiC 材料特性的差別，這對異質結、肖特基結等結構與 SiC IGBT 的結合會產生重大影響。除此之外，能否引入新的物理機制以優化 SiC IGBT器件的性能也是值得進一步深入研究的課題。在實現能源轉型、推進碳達峰與碳中和以及建立新型電力系統的重要應用背景下，SiC IGBT 器件的研究前景十分光明，其研制與應用一定會為社會和人類帶來更加節能與清潔的美麗*。
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