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碳化硅場效應管

碳化硅SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低，不需要進行電導率調制就能夠以MOSFET結構實現高耐壓和低阻抗，而且MOSFET原理上不產生尾電流，所以用SiC-MOSFET替代IGBT時，能夠明顯地減少開關損耗，實現散熱部件的小型化。另外，SiC-MOSFET工作頻率可以遠高于IGBT，其電路中電感電容器件更小，容易實現系統小體積小重量。與同檔600V~900V電壓的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的芯片面積小，可采用更小型封裝，而且體二極管的恢復損耗非常小。目前SiC MOSFET主要應用于高端工業電源，高端逆變器及轉換器，高端電機拖動及控制等。