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高壓MOS管SL4N65F

高壓MOS管SL4N65F

SL4N65F是N溝道MOS管,具有650V漏源電壓(Vdss)和4A的連續(xù)漏極電流(Id)。功率為23.3W,導通電阻為2.6Ω,閾值電壓為4.5V,適用于中高壓開關應用。其高功率處理能力和穩(wěn)定性使其在電源管理系統(tǒng)中表現(xiàn)*。

高壓MOS管SL4N65F是一款N溝道MOS場效應管,具有650V漏源電壓和4A連續(xù)漏極電流,適用于高電壓、大電流場合。采用TO-220F封裝,便于安裝和散熱。

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產(chǎn)品名稱:高壓MOS管SL4N65F


產(chǎn)品概述:

高壓MOS管SL4N65F是一款N溝道MOS場效應管,具有650V漏源電壓和4A連續(xù)漏極電流,適用于高電壓、大電流場合。采用TO-220F封裝,便于安裝和散熱。


性能參數(shù):

- 最大漏極-源極電壓:650V

- 最大漏極電流:4A

- 最大導通電阻:2.6Ω@10V,2A

- 閾值電壓:4.5V@250A

- 輸入電容:850pF@25V

- 反向傳輸電容:1.2nF@25V

- 柵極電荷:11nC@10V

- 工作溫度范圍:-55℃ ~ +150℃@(Tj)


應用領域:

高壓MOS管SL4N65F廣泛應用于需要承受高電壓、大電流的場合,如電源、照明、電動工具等領域。


安裝說明:

1. 請在無靜電保護措施的情況下操作。

2. 安裝前請清潔散熱器和芯片表面,確保無塵、無油。

3. 芯片正面朝向散熱片,用合適的螺絲固定。

4. 注意安裝時不要損壞芯片,防止靜電干擾。


注意事項:

1. 請勿將該器件用于超出規(guī)定條件的環(huán)境和用途。

2. 使用時請按照使用說明書正確操作,以免對器件造成損壞。

3. 禁止對器件進行改裝和拆卸。

4. 當存儲器件時,請避免超出規(guī)定的環(huán)境溫度和濕度范圍。


支持

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