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功率器件中硅基、碳化硅、氮化鎵三種技術路線的核心差異是什么?適配場景有何不同?
2025-12-02 42

三者核心差異集中在效率、頻率、成本及可靠性上,適配場景差異顯著:

硅基器件(如硅 MOS、IGBT)技術成熟、成本低,開關頻率通常<100kHz,熱阻較高,適合30W以下快充、家電變頻器等中低壓、對成本敏感的場景。

碳化硅(SiC)器件擊穿電場強度是硅的 10 倍,開關頻率達200 - 500kHz,最高結溫200℃,適配電動汽車主驅逆變器、光伏逆變器等中高壓、對效率和散熱要求高的場景。

氮化鎵(GaN)器件開關損耗極低,開關頻率輕松突破 1MHz,無反向恢復問題,但驅動電路復雜,主要用于65W以上快充、數據中心電源、激光雷達等高頻場景。


【簡介】

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