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產(chǎn)品展示
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IGBT IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)和BJT(雙極型三極管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)功率半導(dǎo)體器件。IGBT有分立式單管和模塊，各有其應(yīng)用范圍。在工業(yè)方面，用于交通控制、功率變換、工業(yè)電機(jī)、UPS不間斷電源、風(fēng)電與太陽(yáng)能設(shè)備，變頻器等；在消費(fèi)電子方面，用于家用電器、充電樁，電動(dòng)車(chē)，電動(dòng)工具等。
薩科微slkorIGBT單管SL40T65FL VCE(V)：650V IC@TC=100℃（A）：40A PD@TC=25℃（W）：375W TJ（℃）：-40~175℃ Package：TO-247
IGBT單管SL15T65FF VCE(V)：650V IC@TC=100℃（A）：15A PD@TC=25℃（W）：48W TJ（℃）：-40~175℃ Package：TO-220F
IGBT單管SL40T65FL1 VCE(V)：650V IC@TC=100℃（A）：40A PD@TC=25℃（W）：375W TJ（℃）：-40~175℃ Package：TO-247
IGBT單管SL25T120FL VCE(V)：1200V IC@TC=100℃（A）：25A PD@TC=25℃（W）：350W TJ（℃）：-55~150℃ Package：TO-247
IGBT單管SL50T120FZ VCE(V)：1200V IC@TC=100℃（A）：50A PD@TC=25℃（W）：535W TJ（℃）：-55~175℃ Package：TO-264
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IGBT單管SL20T65F VCE(V)：650V IC@TC=100℃（A）：20A PD@TC=25℃（W）：35W TJ（℃）：-55~175℃ Package：TO-220F
IGBT單管SL20T65F1 VCE(V)：650V IC@TC=100℃（A）：20A PD@TC=25℃（W）：46W TJ（℃）：-55~150℃ Package：TO-220F
IGBT單管SL20T65K1 VCE(V)：650V IC@TC=100℃（A）：20A PD@TC=25℃（W）：162W TJ（℃）：-55~150℃ Package：TO-263
IGBT單管SL15T65FK VCE(V)：650V IC@TC=100℃（A）：15A PD@TC=25℃（W）：182W TJ（℃）：-40~175℃ Package：TO-263
slkor薩科微IGBT單管SL15T120FL1 VCE(V)：1200V IC@TC=100℃（A）：30A PD@TC=25℃（W）：238W TJ（℃）：-40~175℃ Package：TO-247
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650V 20A 162W -55~150℃ TO-263
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1200V 30A 238W -40~175℃ TO-247

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