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MOS管基礎(chǔ)知識

MOS管（也稱場效應(yīng)管），是MOSFET的縮寫。場效應(yīng)管分為PMOS管（P溝道型）和NMOS（N溝道型）管，屬于絕緣柵場效應(yīng)管。
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漢天下推出高性能B1+B3四工器，為本土射頻前端模組化筑地基

進(jìn)入2022年后，全球消費(fèi)電子市場持續(xù)低迷，市場空間進(jìn)一步收縮，本土射頻前端行業(yè)深陷低端化內(nèi)卷的競爭泥淖，向模組化、高端化市場進(jìn)階的需求日益迫切。隨著本土射頻廠商在高性能濾波器、雙工器/多工器上取得突破，突圍的曙光正愈加清晰。作為深耕濾波器領(lǐng)域已逾十年的本土射頻廠商，日前，漢天下正式推出自主研發(fā)的B1+B3四工器HSQP1213，為射頻前端國產(chǎn)化打開新局面。這款產(chǎn)品由四顆BAW濾波器集成打造，不論收發(fā)通路之間的隔離度水平，還是B1與B3頻段之
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清華大學(xué)錢鶴、吳華強(qiáng)教授團(tuán)隊(duì)在第68屆國際電子器件大會（IEDM 2022）發(fā)表4篇存算一體技術(shù)領(lǐng)域?qū)W術(shù)論文

近日，第68屆國際電子器件大會（IEDM 2022）在美國舊金山召開，其中清華大學(xué)集成電路學(xué)院錢鶴、吳華強(qiáng)團(tuán)隊(duì)發(fā)表了4篇學(xué)術(shù)論文，報(bào)道了存算一體技術(shù)領(lǐng)域的最新進(jìn)展。四篇文章涉及單片三維集成混合存算一體架構(gòu)、存算一體芯片的多尺度熱建模、基于存算一體的同態(tài)加密和存算通一體多個(gè)前沿領(lǐng)域。其中博士生安然和博士生李怡均發(fā)表的基于單片三維集成的混合存算一體架構(gòu)工作獲得IEEE Brain最佳論文獎 (IEEE Brain “Best Paper” Award)。自2016年始，團(tuán)隊(duì)已連續(xù)七年在IEDM大會上累計(jì)發(fā)表論
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張俊杰先生為金航標(biāo)kinghelm/薩科微slkor全員培訓(xùn)精益生產(chǎn)之流程管理

2022年12月10日，在金航標(biāo)/薩科微新總部神舟電腦大廈氣派的公司會議室，東莞精益生產(chǎn)研究會執(zhí)行會長張俊杰為全體員工進(jìn)行了主題為“如何優(yōu)化和規(guī)范流程管理”的培訓(xùn)。金航標(biāo)www.kinghelm.com.cn薩科微www.slkoric.com總經(jīng)理宋仕強(qiáng)說，金航標(biāo)Kinghelm薩科微Slkor公司在做好新品研發(fā)和控制好產(chǎn)品生產(chǎn)質(zhì)量的同時(shí)，還要做好公司內(nèi)部的管理工作。金航標(biāo)/薩科微公司的標(biāo)準(zhǔn)化、流程化、模塊化就是今年明年要落實(shí)和細(xì)化的管理要點(diǎn)。金航標(biāo)/薩科微總經(jīng)理宋仕強(qiáng)說，公司流程沒有盡善盡美，只有不斷
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1萬億元！傳聞中國補(bǔ)貼芯片企業(yè)

美國同盟友商討收緊對華晶片出口后，傳聞中國準(zhǔn)備為半導(dǎo)體業(yè)推出總值超過人民幣1萬億元，約相等于1430億美元的援助配套。路透社引述的消息說，北京計(jì)劃分五年，推出這個(gè)歷來最大的援助配套之一。配套將以補(bǔ)貼和稅務(wù)減免措施為主，以推動國內(nèi)的半導(dǎo)體生產(chǎn)和研發(fā)活動。有關(guān)計(jì)劃最早可在明年*季推行。這引起了美國一些議員對中國晶片產(chǎn)能增加的關(guān)注。中國*新聞辦公室還未對報(bào)道置評。傳聞中國最新擬投資總規(guī)模1430億美元（折合人民幣10046億元）扶持國內(nèi)芯片企業(yè)，主要用于鼓勵中國企業(yè)購買本土半導(dǎo)體設(shè)
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SiC器件設(shè)計(jì)、制造、襯底及外延供應(yīng)商名單

在第三代半導(dǎo)體材料中，SiC是商用化規(guī)模最大的一種，其在射頻、功率器件領(lǐng)域應(yīng)用廣泛，市場增長空間廣闊。SiC產(chǎn)業(yè)鏈主要包括襯底、外延、器件設(shè)計(jì)、器件制造、封測等環(huán)節(jié)，為了更好地了解SiC產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)的商業(yè)化應(yīng)用情況，我司近期匯集多方資源，*整理了有關(guān)SiC產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)的供應(yīng)商情況。繼上期發(fā)布了器件設(shè)計(jì)和IDM供應(yīng)商名單的草稿后，得到了廣大讀者朋友的反饋，本期我們在修訂上期名單的基礎(chǔ)上又補(bǔ)充了更多類別的公司。本期主要圍繞SiC器件設(shè)計(jì)、制造（含IDM及代工）、襯底及外延四個(gè)領(lǐng)
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IGBT的應(yīng)用范圍是多少？可應(yīng)用在哪些領(lǐng)域？

IGBT的應(yīng)用范圍是多少？可應(yīng)用在哪些領(lǐng)域？功率半導(dǎo)體的應(yīng)用范圍功率半導(dǎo)體分為以元件單位構(gòu)成的分立式元器件 (Discrete) 部件和由該基本部件組成的模塊 (Module)。IGBT也同樣存在分立式元器件和模塊之分，并分別有其適合的應(yīng)用范圍。下圖所示為以IGBT為主的功率半導(dǎo)體在開關(guān)（工作）頻率與輸出電容關(guān)系圖中的應(yīng)用范圍。【功率半導(dǎo)體的應(yīng)用范圍】 IGBT的應(yīng)用領(lǐng)域
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萬億級平臺企業(yè)，將落地深圳！兩家*500強(qiáng)牽頭

深圳將成立一個(gè)國際交易中心，打造萬億級平臺企業(yè)。 12月9日，包括深圳華強(qiáng)在內(nèi)的多家公司公告稱，擬作為共同發(fā)起人，參與投資設(shè)立電子元器件和集成電路國際交易中心股份有限公司（下稱“電子元器件國際交易中心公司”），注冊資本21.28億元，作為電子元器件和集成電路國際交易中心的建設(shè)主體。
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“新能源*”殺入最火賽道！宏光半導(dǎo)體迎GaN快速成長窗口

當(dāng)前，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等為代表的第三代半導(dǎo)體市場發(fā)展迅猛，憑借其擊穿電場高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)勢，*灘節(jié)能減碳、汽車電子化等熱潮商機(jī)，市況逆勢大好。資本涌入，許多企業(yè)欲捕捉機(jī)遇，藉此*占此市場先機(jī)。近日，新能源巨頭協(xié)鑫集團(tuán)正式入局第三代半導(dǎo)體，迎來最新進(jìn)展：
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硅晶圓供應(yīng)商：上海硅產(chǎn)業(yè)集團(tuán)概覽

前言上海硅產(chǎn)業(yè)集團(tuán)作為中國大陸規(guī)模最大的半導(dǎo)體硅片生產(chǎn)企業(yè)之一，承包了中國晶圓市場近20%的市場份額，亦是中國大陸率先實(shí)現(xiàn)300mm半導(dǎo)體硅片規(guī)?；N售的企業(yè)。2015年成立以來，通過對上海新昇、新傲科技、Okmetic三家主要子公司的收購，上海硅產(chǎn)業(yè)集團(tuán)很快成為我國半導(dǎo)體硅片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者。目前滬硅產(chǎn)業(yè)大硅片成熟制程良率穩(wěn)定，公司營收增長率超過行業(yè)平均值，但是在規(guī)模上與國外*企業(yè)仍然有較大差距。上海硅產(chǎn)業(yè)集團(tuán)如何發(fā)家，核心競爭力因何造就，并與
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