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薩科微比較常見(jiàn)開(kāi)關(guān)電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)介紹（一）

什么是拓?fù)洌克^電路拓?fù)洌褪请娐分泄β势骷碗姶旁倪B接方法，而磁性元件的設(shè)計(jì)、閉環(huán)補(bǔ)償電路的設(shè)計(jì)以及其他所有電路元件的設(shè)計(jì)都依賴(lài)于拓?fù)洹Ｗ罨镜耐負(fù)溆薪祲海╞uck）、升壓（boost）和降壓/升壓（boost/buck）、非對(duì)稱(chēng)反激（isolated flyback）、正向、推挽、半橋和全橋變換器。開(kāi)關(guān)電源拓?fù)溆写蠹s14種常見(jiàn)的拓?fù)洌恳环N都有自己的特點(diǎn)和適用場(chǎng)合。選擇的原則是看是大功率還是小功率，是高壓還是低壓輸出，元器件是否盡量少。因此，要適當(dāng)?shù)剡x擇拓?fù)洌?/p> 了解更多
場(chǎng)效應(yīng)管放大電路設(shè)計(jì)

1、測(cè)量場(chǎng)效應(yīng)管輸入電阻時(shí)，應(yīng)考慮哪些因素。 DA）由于場(chǎng)效應(yīng)管輸入電阻較高，一般可達(dá)10M以上，所以在測(cè)量時(shí)一定要使用高內(nèi)阻表測(cè)量，注意預(yù)防靜電擊穿柵極，并要注意對(duì)外界信號(hào)隔離，以防感應(yīng)信號(hào)的寄生在測(cè)量回路中，影響測(cè)量。 2、為什么場(chǎng)效應(yīng)管輸入端的耦合電容一般只要0。02uf左右？ DA）耦合電容的大小是和輸出、輸入電阻有關(guān)，因?yàn)閳?chǎng)效應(yīng)管的輸入電阻高，所以一般使用到0.01-0.02uF就夠了（這和50年代的電子管很象） 3、為什么場(chǎng)效應(yīng)管放大器放大倍數(shù)一般沒(méi)有晶體管的電壓放大倍
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場(chǎng)效應(yīng)管的作用是什么？

場(chǎng)效應(yīng)管用在電路中一般起什么作用? 場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件，場(chǎng)效應(yīng)管的漏源極之間的距離相當(dāng)于一個(gè)電阻，所以電路中使用的場(chǎng)效應(yīng)管通常起到電壓控制電阻的作用，即電壓控制電流。具體來(lái)說(shuō)，一是制造像BJT那樣的高速電子開(kāi)關(guān)，例如電磁爐，二是進(jìn)行放大等模擬控制。具體來(lái)說(shuō)，您可以閱讀有關(guān)模擬電子技術(shù)的書(shū)籍。一般情況下，用作高頻開(kāi)關(guān)來(lái)開(kāi)啟和關(guān)閉電路。最常見(jiàn)的功能是將直流電轉(zhuǎn)換為交流電，但不僅限于此。場(chǎng)效應(yīng)管，起什么作用場(chǎng)效應(yīng)管和三極管作用一樣，是起放大作用的，不過(guò)場(chǎng)效應(yīng)管的輸
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醉的局——暨川渝電子人聯(lián)誼會(huì)前奏曲

做出人生*筆1萬(wàn)元的公益投資決定并打款后，剛到深圳華強(qiáng)北撈金的偉哥（恒利泰科技總經(jīng)理黃偉）內(nèi)心開(kāi)始膨脹，他決定吹響外焦里嫩的號(hào)角，在望江樓組個(gè)500元的高端酒局，試一試成都荷花池的水盆能裝多少蒜。偉哥最壞的打算偉哥內(nèi)心做好了最壞的打算，如果你們不給面子，那就別怪我渣渣哇哇的，投資款收回不說(shuō)，貨款也不支付了，我看你們的MOS管，霍爾元件，可控硅，單片機(jī)，打火機(jī)，北斗天線(xiàn)，F(xiàn)PGA，TPS怎么找接盤(pán)俠？思考良久，偉哥給薩科微的主任打了電話(huà)：宋哥
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中國(guó)信息產(chǎn)業(yè)商會(huì)電子元器件應(yīng)用與供應(yīng)鏈分會(huì)ECAS第二屆理事會(huì)第四次會(huì)議圓滿(mǎn)結(jié)束

12月16日下午，中國(guó)信息產(chǎn)業(yè)商會(huì)電子元器件應(yīng)用與供應(yīng)鏈分會(huì)（ECAS）第二屆理事會(huì)第四次會(huì)議在深圳召開(kāi)。分會(huì)理事長(zhǎng)周繼國(guó)，副理事長(zhǎng)馮偉、王玉成、葉德仁、劉紅兵、朱葉慶、李宏輝、陳智紅、劉杰、吳振洲、吳守農(nóng)，理事楊林杰、梅華、李明駿、任武明等出席會(huì)議。分會(huì)秘書(shū)長(zhǎng)熊宇紅主持會(huì)議。深圳市薩科微半導(dǎo)體有限公司總經(jīng)理宋仕強(qiáng)先生受邀參加了此次會(huì)議。芯查查曹士成與薩科微總經(jīng)理宋仕強(qiáng) 近年來(lái)薩科微半導(dǎo)體SLKOR發(fā)展迅速，在繼續(xù)鞏固在功率器件市場(chǎng)的定位之余，也在在TVS瞬態(tài)抑制二極管、驅(qū)動(dòng)
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P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管導(dǎo)通條件

P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管的導(dǎo)通條件是柵極電位低于漏極電位。柵極電位比漏極電位低得越多，就越趨于導(dǎo)通。一般低于漏極電位15V就可以完全導(dǎo)通。壓差太大就會(huì)形成柵極擊穿。想關(guān)閉就要把柵極電位拉回漏極。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管只有（耗盡型）；MOS管有（增強(qiáng)型）和（耗盡型）。增強(qiáng)型：就是UGS=0V時(shí)漏源極之間沒(méi)有導(dǎo)電溝道，只有當(dāng)UGS>開(kāi)啟電壓(N溝道)或UGS<開(kāi)啟電壓(P溝道)才可能出現(xiàn)導(dǎo)電溝道。耗盡型：就是UGS=0V時(shí),漏源極之間存在導(dǎo)電溝道。場(chǎng)效應(yīng)管分為N溝
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薩科微常見(jiàn)模擬電路經(jīng)典問(wèn)答（五）

模擬信號(hào)是指連續(xù)變化的電信號(hào)。模擬電路是電子電路的基礎(chǔ)，它主要包括放大電路、信號(hào)運(yùn)算和處理電路、振蕩電路、調(diào)制和解調(diào)電路及電源等。以下是我們常見(jiàn)的模擬電路問(wèn)答。薩科微肖特基二極管產(chǎn)品系列 1、空穴是一種載流子嗎?空穴導(dǎo)電時(shí)電子運(yùn)動(dòng)嗎? 答∶不是，但是在它的運(yùn)動(dòng)中可以將其等效為載流子。空穴導(dǎo)電時(shí)等電量的電子會(huì)沿其反方向運(yùn)動(dòng)。 2、制備雜質(zhì)半導(dǎo)體時(shí)一般按什么比例在本征半導(dǎo)體中摻雜? 答∶按百萬(wàn)分之一數(shù)量級(jí)的比例摻入。 3、什么是零點(diǎn)漂移?為
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求MOS管型號(hào)推薦！

N溝道增強(qiáng)型mos管選型 VGS為零時(shí)完全沒(méi)有那是不可能的，能不能達(dá)到200mA還要取決于你的VDS電壓，要是能承受200mA電流的管子還是很多的，把你的要求具體一下，電流、耐壓和封裝。什么是MOS管？ MOS管全名MOSFET，中文名叫場(chǎng)效應(yīng)管，取英文名的字頭簡(jiǎn)稱(chēng)MOS管，是電壓控制元件，在無(wú)刷電動(dòng)機(jī)控制電路中還叫功率開(kāi)關(guān)管。MOS管是開(kāi)關(guān)型晶體管，只有通和斷兩種狀態(tài)，通就是開(kāi)，關(guān)是斷。以開(kāi)通和關(guān)斷時(shí)間比例來(lái)控制輸出電壓高低，叫做占空比，電動(dòng)自行車(chē)的控制器和充電器都離不開(kāi)MO
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MOS管的源極和漏極有什么區(qū)別

一、指代不同 1、源極：簡(jiǎn)稱(chēng)場(chǎng)效應(yīng)管。T僅是由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，與雙極型相反，也稱(chēng)為單極型晶體管。 2、漏極：利用外部電路的驅(qū)動(dòng)能力，減少I(mǎi)C內(nèi)部的驅(qū)動(dòng)，或驅(qū)動(dòng)比芯片電源電壓高的負(fù)載。二、原理不同 1、源極：在一塊N型半導(dǎo)體材料的兩邊各擴(kuò)散一個(gè)高雜質(zhì)濃度的P型區(qū)（用P+表示），就形成兩個(gè)不對(duì)稱(chēng)的P+N結(jié)。把兩個(gè)P+區(qū)并聯(lián)在一起，引出一個(gè)電極，稱(chēng)為柵極（g），在N型半導(dǎo)體的兩端各引出一個(gè)電極。 2、漏極：將兩個(gè)P區(qū)的引出線(xiàn)連在一起作為一個(gè)電極，稱(chēng)為柵極，在N型硅片兩端各引出
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薩科微常見(jiàn)模擬電路經(jīng)典問(wèn)答（四）

模擬信號(hào)是指連續(xù)變化的電信號(hào)。模擬電路是電子電路的基礎(chǔ)，它主要包括放大電路、信號(hào)運(yùn)算和處理電路、振蕩電路、調(diào)制和解調(diào)電路及電源等。以下是我們常見(jiàn)的模擬電路問(wèn)答。薩科微霍爾元件系列產(chǎn)品 1、什么是本征半導(dǎo)體和雜質(zhì)半導(dǎo)體? 答∶純凈的半導(dǎo)體就是本征半導(dǎo)體，在元素周期表中它們一般都是中價(jià)元素。在本征半導(dǎo)體中按極小的比例摻入高一價(jià)或低一價(jià)的雜質(zhì)元素之后便獲得雜質(zhì)半導(dǎo)體。 2、功放要求答∶a.輸出功率盡可能大。 b.高效率 c.非線(xiàn)形失真小 d.晶
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