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能夠穩定發揮其性能的二極管，為何能夠被電子領域廣泛的使用？

如今，在這種電子發燒友的時代，人們對于電子設備的要求越來越高。因此，對于電子設備內配備的電子零件也有了更加嚴苛的要求。隨著科技的發展和時代的進步，之前被廣泛運用的電子元器件都逐漸的淘汰，換上了性能更加穩定，且性價比相對來說也更高的電子零件。而二極管就是一個很好的例子。如今，二極管本身所具有的穩定性能如今得到了越來越多人的認可，其在電子領域當中也得到了工程師以及電子發燒友的認可。就好比如今我們買手機，會注重其機身內所安置的芯片一樣，根據其機身內更好的配件，也就能夠是的手機的性能能夠更好的發揮
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重磅！100億，再建6寸碳化硅線

7月9日，深圳市英唐智能控制股份有限公司（以下簡稱“英唐智控”）與Hulu MT.PEAK LLC（Hulu半導體綜合投資公司，簡稱“HuLu”）簽訂了《合作協議》，擬在中國境內合作建設6英寸SIC器件生產線。籌建6英寸碳化硅生產線根據公告，雙方就HuLu協助英唐智控在國內籌建6英寸碳化硅生產線提供產線建設、設備選型規劃、產品需求及工藝技術支持等內容進行了約定。雙方約定，HuLu或其指定合作方需提供一條6英寸SiC器件產線建設及設備選型規劃，并協助英
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如何實現半導體產業的真國產化

每過一段時間，就會傳出中國芯片領域國產化的“捷報”，最近甚至“國產”已經不足以表達他們的“成功”，更是出現了“全國產”“純國產”“100%國產”等國產新名詞。雖然這個行業需要低調做事，數據說話，客戶認證，但這不妨礙“捷報”的持續產出，而且“捷報”從最初吸引眼球的夸大之詞，進化到泛用國產概念、模糊國產化定義。中國的半導體國產化進程注定是產業史上曲折反復、砥礪前行的史詩，對這樣厚重的題目做輕浮的夸大宣傳實不應該。什么是國產化，如何定義國產化，我們需要什么樣的國產化。這是在談論國產化之前繞不開的問題。
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異構集成是后摩爾時代的答案嗎？

異構集成正在成為后摩爾時代延續半導體技術的重要方向，或將成為未來30年系統級芯片的主流技術，推動集成電路進入異構集成時代。但異構集成要打破集成電路傳統“路”的思維，還有很長的路要走。繞道摩爾定律的重要途徑目前正處于數字經濟蓬勃發展的時代，高性能計算、云計算和虛擬化、大數據分析等應用快速發展。這一系列的應用場景也會給處理器帶來非常大的工作負載，需要強大算力的支撐。 AMD全球*副總裁、大中華區總裁潘曉明表示，在半導體設計的黃金時代，人們可以通過工藝的進步，降低
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國產IGBT走上快車道

本周，一則中國本土IGBT新銳量產的消息吸引了不少眼球，7月7日，智新半導體車規級IGBT模塊實現量產，這是東風公司和中國中車戰略合作成立智新半導體公司后結出的*個碩果。據報道，此次投產的IGBT模塊，具有*的散熱性和抗電磁干擾性，能夠滿足車規級產品的高可靠性要求。這樣一來，中國新能源汽車企業又多了一個選擇，為本土汽車功率半導體供應鏈增添了砝碼。近期，不僅智新半導體，在剛剛過去的6月份，以及7月上旬，短短一個多月時間內，中國本土的IGBT芯片和模塊，特別是車用產品，不約
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重磅！MOSFET告急，大廠停工，交期延長，再漲10%-20%

7月12日消息，近日，馬來西亞除了維持無限期封城外，更實施“強化行動管制令”，當地 IDM 大廠皆被迫停工，馬來西亞因單日確診新冠肺炎疫情逾8,000人，決定實施更強硬的“強化行動管制令”，當地 IDM 大廠均被迫停工。據悉，IDM均已通知客戶交期延長至少 2 周以上，MOSFET 供給缺口將再擴大，成為現今終端最缺的零組件之一。 ON Semi 日前公告，Seremban、ISMF 兩地
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IGBT是啥？是怎么工作的

IGBT也是一種絕緣柵極型功率管作為一個組合的電子器件，能夠在交流電機，照明電路等領域是非常好的效果，這種*電流高壓應用的設備，功率自然進化實現了較高的一個擊穿電壓，有很高的電阻率消除了現有功率的缺點，通過這些改進能夠呈現更好的效果，在面對較低的壓降方面，有一個標準的雙極性相比較能夠支持電流密度并且簡化驅動力。 IGBT在打通的時候我們可以看出在等效電路中各種驅動雙極器件能夠在P區和N區創建一個通道，這種形成的電流能夠按照方式控制在一定的電壓之內，并且啟動第2個電荷流，最終結果能夠出現不同的
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了解二極管嗎？看這些就夠了

二極管是一種只允許電流單一方向流過的電子元器件，也是電子產業中非常重要的產品，如果在檢測的時候也會發現電流這種單方面通過，對檢測也起到了特性。早期的二極管因為發熱功耗大，易破損的問題促使了晶體二極管的產生，這種半導體二極管有pn階存在，所以外加電壓所具備單向導力的特點，在如今電路中使用還是非常多的，面對半導體材料基本上是硅。二極管的核心是平安節這種純硅晶片所制成的晶體二極管，能夠看出在P型和N型相接觸時產生的拼接界面，能夠形成自建電廠外加電壓等于0的時候，這種電流處于平衡狀態，如果電壓出現不平衡
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5G氮化鎵要“火”？Cree、NXP、Qorvo、住友集體出動了！

最近， 5G氮化鎵熱度大增。 Cree、Qorvo、恩智浦、Microchip等眾多企業都密集推出了5G氮化鎵產品；住友電工、恩智浦也在美國建設5G氮化鎵工廠。 GaN將在5G部署中取代LDMOS技術，預計2026年5G市場對GaN RF器件的需求規模將達到62.7億元。目前一些企業已經開始獲得大訂單，比如貳陸就獲得了6.46億元的長期供貨協議。插播：加入第三代半導體大佬群，請加微信：Joyce_sdb 住友、恩智浦建廠眾多企業密推5G氮化鎵不知是否跟世
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AOS發布符合車規標準的1200V 碳化硅MOS管（αSiC MOSFETs）

日前，集設計、研發、生產和全球銷售一體的*功率半導體、芯片及數字電源產品供應商Alpha and Omega Semiconductor Limited（AOS, 納斯達克代碼:AOSL) 推出采用優化的TO-247-4L封裝，符合AEC-Q101標準的新型1200V碳化硅MOS管（αSiC MOSFET）—AOM033V120X2Q。這款1200V 碳化硅MOS管為可接受15V標準柵極驅動器的TO-247-4L車規封裝，并提供行業內*的最低導通電阻，滿足電動汽車（EV）車載充電機、電機驅動逆變器和車
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