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產品概述：
slkor薩科微BC857BW是一款PNP型晶體管，具有適中的電壓、電流和功率特性，適用于各種低功率放大和開關應用。該晶體管具有穩定的性能和可靠性，適合各種電子設備的設計與應用。
主要特性：
晶體管類型：PNP，適用于PNP型三極管的典型應用場景。
集射極擊穿電壓(Vceo): -45V，具備適中的擊穿電壓能力。
集電極電流(Ic): 最大可達-0.1mA，適用于低功率的電路應用。
功率(Pd): 150mW，適合低功率應用場景。
集電極-發射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib): 優異的飽和壓降表現為-0.65V@-100mA, -5mA，有助于提高電路效率。
直流電流增益(hFE@Ic,Vce): 125 @ -2mA, -5V，適用于低功率放大倍數的電路設計。
特征頻率(fT): 100MHz，具有*的特征頻率性能。
工作溫度范圍: 最高可達+150℃ (Tj)，適應多種工作環境。
應用領域：
低功率放大器電路：適用于需要低功率輸出的電子設備。
開關電路：可用于低功率開關電源和控制電路。
信號放大器和驅動器：適用于各種信號放大和驅動電路的設計。
小型電子設備：可用于設計小型電子產品的電路。
產品優勢：
低功率特性：適合低功率電路設計的應用場景。
優異的飽和壓降：有效降低功耗，提高電路效率。
高特征頻率：適用于高頻率電路設計和應用。
耐高溫：最高工作溫度可達+150℃，適應多種工作環境。
注意事項：
確保不超過最大額定值，避免損壞晶體管或影響電路性能。
正確布局引腳，參考相關數據手冊獲取正確的引腳布局信息。
為了獲取更多技術支持和產品信息，請聯系薩科微（Slkor）客戶服務團隊。
支持
如果您需要設計/技術支持，請告知我們并填寫 應答表 我們會盡快回復您。
Longevity
The Longevity Program is aimed to provide our customers information from time to time about the expected time that our products can be ordered. The NLP is reviewed and updated regularly by our executive Management Team. View our longevity program here.
晶體管類型: PNP 集射極擊穿電壓(Vceo): -20V 集電極電流(Ic): -5A 功率(Pd): 0.5W 集電極截止電流(Icbo): 0.5uA 集電極-發射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib): 0.35V@-4A, 0.1A 直流電流增益(hFE@Ic,Vce): 390 @ -0.5A, -2V 特征頻率(fT): 60MHz 工作溫度范圍: +150℃ (Tj) 封裝: SOT-89
晶體管類型：PNP 集射極擊穿電壓(Vceo)：-60V 集電極電流(Ic)：-3A 功率(PC)：10W 集電極截止電流(Icbo)：-10μA 集電極-發射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib)：-0.3V@-1.5A,-0.15A 直流電流增益(hFE@Ic,Vce)：60@-0.2A,-2V 特征頻率(fT)：- 工作溫度：-55℃~+150℃@(Tj) Package：TO-252
晶體管類型: PNP 集射極擊穿電壓(Vceo): -80V 集電極電流(Ic): -1A 功率(Pd): 0.5W 集電極截止電流(Icbo): -1μA 集電極-發射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib): -0.4V@-500mA, -50mA 直流電流增益(hFE@Ic,Vce): 390 @ -0.1A, -3V 特征頻率(fT): 20MHz 工作溫度范圍: +150℃ (Tj) 封裝: SOT-89
晶體管類型：PNP 集射極擊穿電壓(Vceo)：32V 集電極電流(Ic)：800mA 功率(PT)：200mW 集電極截止電流(Icbo)：0.5μA 集電極-發射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib)：0.4V@500mA,50mA 直流電流增益(hFE@Ic,Vce)：390@100mA,3V 特征頻率(fT)：150MHz 工作溫度：-55℃~+150℃@(Tj) Package：SOT-23
晶體管類型: PNP 集射極擊穿電壓(Vceo): -32V 集電極電流(Ic): -2A 功率(Pd): 0.5W 集電極截止電流(Icbo): -1μA 集電極-發射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib): -0.5V@-2A, -0.2A 直流電流增益(hFE@Ic,Vce): 390 @ -0.5A, -3V 特征頻率(fT): 100MHz 工作溫度范圍: +150℃ (Tj) 封裝: SOT-89
晶體管類型：PNP 集射極擊穿電壓(Vceo)：-50V 集電極電流(Ic)：-100mA 功率(PD)：200mW 集電極截止電流(Icbo)：-0.1μA 集電極-發射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib)：-0.3V@-100mA,-10mA 直流電流增益(hFE@Ic,Vce)：200@-1mA,-6V 特征頻率(fT)：180MHz 工作溫度：-55℃~+150℃@(Tj) Package：SOT-23
晶體管類型：PNP 集射極擊穿電壓(Vceo)：-50V 集電極電流(Ic)：-2A 功率(PC)：500mW 集電極截止電流(Icbo)：-100nA 集電極-發射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib)：-0.35V@-1A,-50mA 直流電流增益max(hFE@Ic,Vce)：270@-500mA,-2V 特征頻率(fT)：200MHz 工作溫度：-55℃~+150℃@(Tj) Package：SOT-89
晶體管類型: PNP 集射極擊穿電壓(Vceo): -120V 集電極電流(Ic): -800mA 功率(Pd): 500mW 集電極截止電流(Icbo): -100nA 集電極-發射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib): -1V@-500mA, -50mA 直流電流增益(hFE@Ic,Vce): 240 @ -100mA, -5V 特征頻率(fT): 120MHz 工作溫度范圍: +150℃ (Tj) 封裝: SOT-89
