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IGBT模塊有哪些功能？

IGBT模塊有哪些功能？ ?? IGBT電源模塊由IC、各種驅動保護電路、高性能IGBT芯片和新型封裝技術驅動，從復合電源模塊PIM發展到智能電源模塊IPM、電力電子積木PEBB、電源模塊IPEM。PIM正向高壓大電流方向發展，產品等級為1200—1800A/1800—3300V。IPM除用于變頻調速外，600A/2000V的IPM已用于電力機車的VVVF變頻器。平面低電感封裝技術是PEBB以大電流IGBT模塊為有源器件，用于艦船上的導彈發射裝置。IPEM采用共燒陶瓷多芯片模塊技術組裝PEBB，大大降低
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IGBT單管與IGBT模塊的區別

IGBT單管與 IGBT模塊的區別 ??IGBT模塊可以看作是IGBT單管的功能改進和升級。它們的應用領域基本相同。但是，由于集成了各種驅動和保護電路，IGBT模塊的安裝極大地方便了用戶。隨著新包裝技術的采用，IGBT的性能也得到了很大的提升，拓展了IGBT的應用領域。 ??IGBT電源模塊由IC、各種驅動保護電路、高性能IGBT芯片和新型封裝技術驅動，從復合電源模塊PIM發展到智能電源模塊IPM、電力電子積木PEBB、電源模塊IPEM。PIM正向高壓大電流方向發展，產品等級為1200—18
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可控硅擊穿的三個主要原因?

可控硅擊穿的三個主要原因 ??1.過壓擊穿： ??過壓擊穿是可控硅擊穿的主要原因之一。可控硅幾乎沒有時間承受過電壓，即使在幾毫秒內，過電壓也會被擊穿。因此，在實際應用電路中，可控硅兩端必須連接RC 收回路，以避免各種不規則干擾脈沖引起的瞬時過電壓。如果晶閘管經常發生故障，請檢查收回路的部件是否燒壞或失效。 ??2.過流和過熱擊穿： ??其實過流擊穿和過熱擊穿是一回事。過流擊穿是指當電流通過可控硅芯片時，在芯片內部產生熱效應，使芯片溫度升高。當芯片溫度達到175時，芯片就會失效，無法恢
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為什么SiC器件不能取代IGBT？

為什么SiC器件不能取代 IGBT？ ??碳化硅(SiC)器件的生產工藝和技術日趨成熟，目前市場推廣的最大障礙是成本。包括研發和生產成本，以及應用中碳化硅器件替代 IGBT后，整個電路中驅動電容電阻的成本。除非廠家推，而且真的可以降低成本，提高性能。畢竟，采用新事物會花費很多。由于制造成本和產品良率的影響，目前阻礙SiC產品大規模進入市場的主要原因是價格偏高，一般是同類Si產品的10倍左右。雖然未來碳化硅(SiC)器件以技術進步和成本降低取代IGBT是必然的，性能可能很強，但真正能成為大勢所趨的不僅僅是
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常用的IGBT緩沖電路有哪些？

常用的 IGBT緩沖電路有哪些？ ??由于電力電子器件具有on、on、關斷和off四種工作狀態，因此off和on狀態分別承受高電壓和大電流，而在on和關斷，過程中，開關器件可能同時承受過壓和過流、過大的di/dt、du/dt和過大的瞬時功率。因此，為了防止器件由于高電壓和高電流而損壞，在電路中增加了緩沖電路。關斷緩沖電路吸收器件的關斷過壓和換相過壓，抑制du/dt并降低關斷損耗。導通緩沖電路抑制器件導通時的電流過沖和di/dt，降低器件的導通損耗。 ??在現代生活中， IGBT作為一種完全可
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如何用萬用表檢測可控硅

如何用萬用表檢測可控硅 ?? 可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種，都有三個電極。單向可控硅整流器具有陰極(K)、陽極(A)、控制極(G)。雙向可控硅相當于兩個單可控硅反向并聯。即一個單向硅陽極與另一個陰極并排連接，其引出端稱為T2極，一個單向硅陰極與另一個陽極連接，其引出端稱為T2極，其余為控制電極(G)。 ??1.區分單向和雙向可控硅：首先，測量兩極。如果正負測量指針不動(R×1擋)，它們可能是A、K或G、A極(對單向可控硅)或T2、T1或T2、G極(對雙向可控硅)。
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半導體三極管參數符號及其意義

半導體三極管參數符號及其意義 ??如果共發射極電流放大系數β=IC/IB =100，集電極電流IC=β*IB=10mA。集電極負載電阻為500Ω時，電壓降VRC=10mA*500Ω=5V，而晶體管集電極和發射極之間的電壓降VCE=5V。如果在基極偏置電路中疊加一個交流小電流ib，集電極電路中就會出現相應的的交變電流ic，有c/ib=β，從而實現雙極晶體管的電流放大。 ??金屬氧化物半導體場效應晶體管的基本工作原理是通過半導體表面的電場效應在半導體中感應出導電溝道。當柵極G電壓VG增大時，P
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模塊選型注意事項-導通角要求

模塊選型注意事項-導通角要求 ??模塊在較小導通角時(即模塊高輸入電壓、低輸出電壓)輸出較大電流，這樣會使模塊嚴重發熱甚至燒毀。這是因為在非正弦波狀態下用普通儀表測出的電流值，不是有效值，所以，盡管儀表顯示的電流值并未超過模塊的標稱值，但有效值會超過模塊標稱值的幾倍。因此，要求模塊應在較大導通角下(100度以上)工作。 ??其它要求： ??(1)當模塊控制變壓器負載時，如果變壓器空載，輸出電流可能會小于晶閘管芯片的擎住電流，導致回路中產生較大直流分量，嚴重時會燒掉保險絲。為了避免出現上述情
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模塊保護-過熱保護

模塊保護-過熱保護 ??散熱狀況是影響模塊能否安全工作的重要因素。*的散熱條件不僅可以保證模塊的可靠運行，防止模塊過熱燒毀，還可以提高模塊的電流輸出能力。 ??使用中，當散熱條件不滿足規定要求時，如房間溫超為40 ℃，強制風冷出口風速小于6m/s等。應立即降低模塊的額定電流，否則會因芯片結溫超的允許值過大而損壞模塊例如，根據規定，應使用風冷模塊，而不是自冷。額定電流應降低到初始值的30-40%，否則，如果改用水冷，額定電流可提高30-40%。 ??散熱效果參考標準：保持模塊底板溫度在80
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重磅發布！立創EDA專業版全離線客戶端！

相信這一刻，你我都等待了太久，經過數個版本的公測，現終于發布專業版客戶端正式版本！當然，它依然是「免費」的！立創EDA會將免費國產PCB設計工具貫徹到底，立志于為用戶提供簡單易用且高效的設計工具！立創EDA專業版客戶端支持三大運行模式「全在線模式」需要登錄，庫和工程都存在云端，支持協作，支持自動備份云端工程到本地；「半離線模式」不需
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