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薩科微總經(jīng)理宋仕強受邀參加維庫電子市場網(wǎng)第十三期分享會

隨著物聯(lián)網(wǎng)、人工智能和5G技術的迅猛發(fā)展，芯片行業(yè)正處于一個前所未有的繁榮時期。在這個行業(yè)的蓬勃發(fā)展中，國產(chǎn)替代的潛力愈發(fā)顯現(xiàn)。薩科微（www.slkoric.com）總經(jīng)理宋仕強來到華強北，受邀參加維庫電子市場網(wǎng)第十三期分享會，圍繞貿(mào)易商“國產(chǎn)替代”前途無量的主題，分享了他對于芯片行業(yè)發(fā)展的觀點和看法。
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安逸的新年

從冬至那天起新年就悄然來臨，元旦特意放了一天的假，然而對于一個中國人來說，春節(jié)才是我們的新年，農(nóng)歷的新年才最像新年，人群的喧鬧不必說，就在天空中也顯出將到新年的氣息來。各式煙花，鞭炮紛紛出場，灰白色的晚云中間時時發(fā)出閃光，接著一聲鈍響，像是使足了一年的力氣，那便是爆竹，近處燃放的可就更強烈了，聲音更清脆些，震耳欲聾，聲音還沒有停息，空氣里已經(jīng)彌漫了濃濃的火藥香。薩科微半導體簡介今年的春節(jié)我們留深過年。過了一個出奇平靜，安逸，放松的新年。沒有了費力氣*票；沒有了路上來回的奔波
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安逸的新年

薩科微半導體總部設在中國廣東省深圳市，以新材料、新工藝、新產(chǎn)品驅(qū)動公司的發(fā)展，為全球客戶提供產(chǎn)品和配套服務。薩科微技術團隊主要由韓國延世大學和清華大學組成，掌握國際*的碳化硅mos管生產(chǎn)工藝，和第五代超快恢復功率二極管技術，由最初的FABLESS設計公司，發(fā)展成為集設計研發(fā)、生產(chǎn)制造、系統(tǒng)解決方案、銷售服務于一體的綜合型公司。薩科微半導體是*高新技術企業(yè)，獲得ISO9001質(zhì)量管理體系認證和歐盟的ROHS和REACH認證。
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客家河源紫金的春節(jié)一探

薩科微半導體總部設在中國廣東省深圳市，以新材料、新工藝、新產(chǎn)品驅(qū)動公司的發(fā)展，為全球客戶提供產(chǎn)品和配套服務。薩科微技術團隊主要由韓國延世大學和清華大學組成，掌握國際*的碳化硅mos管生產(chǎn)工藝，和第五代超快恢復功率二極管技術，由最初的FABLESS設計公司，發(fā)展成為集設計研發(fā)、生產(chǎn)制造、系統(tǒng)解決方案、銷售服務于一體的綜合型公司。薩科微半導體是*高新技術企業(yè)，獲得ISO9001質(zhì)量管理體系認證和歐盟的ROHS和REACH認證。
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初入社會的*位“導師”

薩科微半導體總部設在中國廣東省深圳市，以新材料、新工藝、新產(chǎn)品驅(qū)動公司的發(fā)展，為全球客戶提供產(chǎn)品和配套服務。薩科微技術團隊主要由韓國延世大學和清華大學組成，掌握國際*的碳化硅mos管生產(chǎn)工藝，和第五代超快恢復功率二極管技術，由最初的FABLESS設計公司，發(fā)展成為集設計研發(fā)、生產(chǎn)制造、系統(tǒng)解決方案、銷售服務于一體的綜合型公司。薩科微半導體是*高新技術企業(yè)，獲得ISO9001質(zhì)量管理體系認證和歐盟的ROHS和REACH認證。
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薩科微每日芯聞（4月26日）

荷蘭的ASML公司近日宣布，其首臺采用0.55數(shù)值孔徑（NA）投影光學系統(tǒng)的高數(shù)值孔徑（High-NA）極紫外（EUV）光刻機已成功印刷出首批圖案。英特爾最新發(fā)布了代號為Hala Point的大型神經(jīng)擬態(tài)系統(tǒng)，這是他們*擁有11.5億神經(jīng)元的系統(tǒng)。Hala Point的推出為更高效、規(guī)模更大的人工智能應用開辟了新的道路。日本的Sakura互聯(lián)網(wǎng)公司宣布，他們已經(jīng)投資約200億日元（1.3億美元）購買英偉達最新一代的B200人工智能芯片。
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金航標/薩科微每周之星李門

2024年04月22日到2024年04月26日，金航標（www.kinghelm.net）/薩科微（www.slkoric.com）“每周之星”經(jīng)過同事們評比，這周的每周之星是推廣部視頻剪輯李門，在最近工作中，勤勉工作，結(jié)合公司時事，制作出質(zhì)量優(yōu)良的宣傳視頻，以完成公司業(yè)績?yōu)槟繕藢虻墓ぷ骶瘢@得公司領導和同事的一致好評，現(xiàn)予以公告嘉獎一次，獎勵人民幣200元。
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金航標每日芯聞（4月25日）

全球300mm晶圓廠設備投資預計將在2027年創(chuàng)下1370億美元新高。全球半導體產(chǎn)業(yè)預計在2030年前后有望達到一萬億美元里程碑。三星將向AMD供應堆疊12層DRAM的HBM3E，用于AMD新一代數(shù)據(jù)中心芯片MI350，總規(guī)模約30億美元。半導體市場將在2024年回歸增長趨勢，年增長率將在20%以上，達到6302億美元。
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SiC-MOSFET與Si-MOSFET相比，區(qū)別在哪？

SiC-MOSFET與Si-MOSFET相比，具有以下區(qū)別：驅(qū)動電壓由于SiC-MOSFET的漂移層電阻低、通道電阻高的特性，其驅(qū)動電壓即柵極－源極間電壓Vgs越高時，導通電阻越低。SiC-MOSFET的導通電阻從Vgs約為20V開始變化（下降）并逐漸減小，接近最小值。一般的IGBT和Si-MOSFET的驅(qū)動電壓為Vgs=10～15V，而SiC-MOSFET建議在Vgs=18V左右驅(qū)動，以充分獲得低導通電阻。換句話說，兩者之間的區(qū)別之一是SiC-MOSFET的驅(qū)動電壓要比S
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TME2024優(yōu)化創(chuàng)新研討會圓滿落幕宋仕強總經(jīng)理參加了圓桌論壇

「2024科技創(chuàng)新下的供應鏈優(yōu)化研討會」提交了一份讓業(yè)界滿意的答卷。這是一場行業(yè)大咖云集、國際國內(nèi)共襄盛舉的重磅活動，金航標Kinghelm（www.kinghelm.com.cn）電子和薩科微Slkor（www.73156.net.cn）半導體總經(jīng)理宋仕強先生作為本場特邀嘉賓暨圓桌論壇四大嘉賓之一，隆重出席活動。金航標Kinghelm（www.kinghelm.net）外貿(mào)部總監(jiān)丘輝林參加活動。
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