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碳化硅（SiC）迎來爆發(fā)期！盤點今年1月國外SiC的最新發(fā)展和技術(shù)

新年伊始，在半導體領(lǐng)域，碳化硅（SiC）技術(shù)已經(jīng)出現(xiàn)在從工業(yè)到學術(shù)界的許多頭條新聞中。在過去的幾年中，寬帶隙半導體的興起已得到充分證明。諸如氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）之類的新型半導體材料可提供更高的速度，效率和工作條件，并已被證明在高壓應用中非常有用。這些應用包括電力電子，電動汽車等。 SiC vs. GaN vs. SI 2021年至今的一個月之內(nèi)，SiC技術(shù)已經(jīng)出現(xiàn)在了許多頭條新聞中，橫跨工業(yè)界和學術(shù)界。例如，本月ROHM半導體公司宣布，為提高公司的SiC產(chǎn)能而專門
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SiC的經(jīng)濟性前景可望！

從SiC在生產(chǎn)制造上的困難和挑戰(zhàn)看SiC的成本問題非常慢的生長速度以及主流尺寸只有4-6英寸，決定了碳化硅的襯底價格遠高于硅襯底。相比于Si的拉單晶生長，碳化硅的單晶需要更高的溫度和更復雜的生長方法。 Si單晶的生長
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傳臺積電擴大投資化合物半導體！購16臺氮化鎵相關(guān)設(shè)備

近日，臺媒報道，在半導體界傳出臺積電擴大投資化合物半導體的傳聞。據(jù)稱，臺積電購買氮化鎵（GaN）相關(guān)設(shè)備達16臺，比既有的六寸廠內(nèi)的6臺增加2倍多，這相當于產(chǎn)能將增達逾萬片左右，顯示客戶端下單需求擴大。據(jù)了解，客戶包括納微半導體——全球最大的氮化鎵（GaN）功率IC公司。臺積電尚未回應有關(guān)客戶與訂單的問題。 2020年2月，臺積電發(fā)布新聞稿，宣布與國際功率半導體ＩＤＭ大廠意法半導體攜手合作開發(fā)氮化鎵制程技術(shù)。這項舉動象征著臺積電未來的發(fā)展將借由GaN技術(shù)加速布局車用電子與電動車應用。可以說，臺積
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突發(fā)！傳華為4G相關(guān)供應已獲美國許可

供應鏈傳來關(guān)于華為芯片供應最新消息。據(jù)科創(chuàng)板日報1月12日報道，供應鏈多位人士表示，華為4G接近全部電子元器件、設(shè)備和技術(shù)供應商已獲美國商務部許可證。消息人士稱：“獲得許可證的品類非常多，幾乎是有關(guān)4G的全部，但是5G相關(guān)還沒松動。” 雖然5G芯片供應困局暫時仍不能破解，但此前華為內(nèi)部員工在接受采訪時表示，雖然中國市場出貨以5G手機為主，但海外市場還以4G手機為主。4G芯片的供應，可以解決海外大部分區(qū)域手機和平板的需求問題。從這個角度來看，4G供應許可證的頒發(fā)
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2021第四屆深圳半導體暨5G應用展深圳7月召開

半導體的機會和增長來自新興應用市場，正值全球半導體產(chǎn)業(yè)向中國大陸轉(zhuǎn)移,未來十年投資規(guī)模將超過1700億美金，中國大陸將成為半導體材料和設(shè)備的最大市場。由中新材會展主辦的第四屆深圳國際半導體＆5G新興應用展覽會（SemiExpo），將于7月28—30日在深圳會展中心舉行。展出面積5萬平方米，將匯聚800余家展商，將以創(chuàng)新策略迎接5G時代的半導體新材料和新設(shè)備制程工藝。本屆展會是順應產(chǎn)業(yè)發(fā)展的趨勢，服務于十幾個新興行業(yè)應用，主要以芯片設(shè)計及制造、Mini-LED、Micro-LED、第三代半導體產(chǎn)業(yè)
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晶圓產(chǎn)能將持續(xù)緊缺至2022年后，客戶已出現(xiàn)恐慌！問題根源在哪？

今年下半年以來晶圓代工產(chǎn)能奇缺，代工費用也是持續(xù)上漲，并且已向下傳導到了封測端，使得封測產(chǎn)能也被擠爆，封測價格也是出現(xiàn)了*上漲，而下游的很多芯片也都出現(xiàn)了缺貨及價格上漲的情況。有分析稱，晶圓代工產(chǎn)能緊缺問題將持續(xù)至明年年中。而昨日臺灣晶圓代工大廠力積電董事長黃崇仁在接受采訪時則表示，全球晶圓代工產(chǎn)能不足將持續(xù)到2022年之后，目前已經(jīng)有客戶出現(xiàn)了恐慌的情緒。晶圓產(chǎn)能緊缺將持續(xù)至2022年？ 11月30日，臺灣晶圓代工大廠力積電召開法人說明會，力積電董事長黃崇仁對外表示，由于
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謎底揭開！華為Mate40系列“自研閃存”源自長江存儲

本月初的時候，芯智訊報道了華為Mate40系列疑似采用了華為自研的閃存的消息，由此也引發(fā)了一些爭論。而現(xiàn)在，謎底終于揭開了：華為Mate40系列有采用長江存儲的64層3D NAND閃存顆粒。回顧此前的報道，根據(jù)網(wǎng)友對于華為Mate40 Pro的閃存性能的實際測試顯示，華為Mate40 Pro的持續(xù)讀取、寫入速度分別達到了1966MB/s、1280MB/s，遠高于其他旗艦手機。作為對比，采用UFS3.1閃存的小米10*版的讀寫速度分別為1772MB/s、789MB/s；三星Note20 U
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魏少軍：“中美脫鉤”損人不利己，另搞一套體系的想法是錯的，中國不可能走回頭路！

11月5日，由APENCORE主辦的“2020全球CEO峰會”在深圳召開。中國半導體行業(yè)協(xié)會集成電路設(shè)計分會理事長魏少軍教授做了主題為《人間正道是滄桑-關(guān)于大變局下的戰(zhàn)略定力》的主題演講。 “最近大家一定注意到中國半導體很火熱，而且火熱得有點過頭，有點不像話。”這是魏少軍教授在演講前說到。自2018年的中興事件以來，中美在經(jīng)濟及科技領(lǐng)域的對抗日益加劇。特別是自去年以來，美國將包括華為在內(nèi)眾多的中國科技企業(yè)及科研院校列入實體清單，持續(xù)加強對于中國高科技產(chǎn)業(yè)的打壓
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RCEP對于中國半導體產(chǎn)業(yè)有何影響？

11月15日，第四次區(qū)域*經(jīng)濟伙伴關(guān)系協(xié)定領(lǐng)導人會議以視頻方式舉行，經(jīng)過8年談判，東盟十國以及中國、日本、韓國、澳大利亞、新西蘭15個*，正式簽署區(qū)域*經(jīng)濟伙伴關(guān)系協(xié)定（RCEP，Regional Comprehensive Economic Partnership）。據(jù)介紹，RCEP拓展了原有“10+1”自貿(mào)協(xié)定的規(guī)則涵蓋領(lǐng)域，既對標國際高水平自貿(mào)規(guī)則，納入了知識產(chǎn)權(quán)、電子商務、競爭、政府采購等議題，又在中小企業(yè)、經(jīng)濟技術(shù)合作等領(lǐng)域作出加強合作等規(guī)定。比如在貨物貿(mào)易
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華為在美國法院提起上訴，挑戰(zhàn)FCC對中國5G技術(shù)的禁令

據(jù)美國媒體報道稱，華為針對美國的一些5G禁令，已經(jīng)開始有所反擊。近日，華為在美國上訴法院提起針對美國聯(lián)邦通信委員會（FCC）的訴訟，在上訴文件中，華為稱FCC不能以*安全問題為由阻止客戶動用聯(lián)邦寬帶撥款來購買中國5G電信設(shè)備和服務。華為稱，F(xiàn)CC已超越其職權(quán)，侵犯了*安全決定應該由美國總統(tǒng)做出的權(quán)利，并跳過了聯(lián)邦決策過程中的必要步驟。目前還不清楚這件事情的最后走勢是怎么樣，但從當前技術(shù)上看，華為已經(jīng)多次明確表示，自己在5G技術(shù)上足夠*，相應的專利儲備也
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