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功率半導體中超結MOS管基礎知識

1. 背景知識在我們進入超結MOSFET的細節之前，我們先了解一些背景知識。 MOSFET，全稱金屬氧化物半導體場效應晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-EffectTransistor），是一種非常重要的電子元件，廣泛應用于各種電子電路中。它的基本作用是作為一個開關，控制電流的流動。MOSFET有不同的類型，包括平面、溝槽等。今天要重點討論超結MOSFET（super junction mosfet）。 2. 平面MOSFET的局限性傳統的
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固態硬盤（SSD）主控芯片簡析

固態硬盤組成主要包括主控芯片、NAND 閃存顆粒。其中主控芯片是固態硬盤的核心器件，負責與整機CPU進行數據通信以及NAND 閃存顆粒數據管理，廣泛應用于消費電子、服務器、工業控制等領域。固態硬盤主控芯片與其配套固件（FW）一起，實現對固態硬盤數據管理、NAND壞塊管理、NAND數據糾錯、NAND壽命均衡、垃圾回收等功能，直接關系到固態硬盤的性能、可靠性、穩定性和安全性。圖：來源聯蕓科技 SSD主控芯片的關鍵核心指標是性能參數，包括順序讀寫速率（SR/SW）以及隨機讀
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紅外線及紅外成像儀原理介紹

1、紅外線及紅外成像的概念光在本質上屬于電磁波，根據波長不同可以分為無線電波、微波、紅外線、可見光、紫外線、X 射線、γ 射線等類型。受人眼自然構造形成的視覺性能限制，人類只能對波長在 0.76-0.38 微米波譜段的輻射進行感知，無法通過直接觀察的方式獲取紅外線成像信息。光電成像技術是通過光學系統和光電圖像傳感器，將自然界的模擬圖像信息轉化為可進行機器處理的數字圖像信息，并對圖像進行處理和分析的技術。以光電轉換技術、光電子理論和半導體物理等為基礎，采用光電成像器件完成成像過程的改
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晶圓制造為什么需要退火工藝？

退火工藝是晶圓制造中的關鍵步驟，通過控制加熱和冷卻過程，退火能夠緩解應力、修復晶格缺陷、激活摻雜原子，并改善材料的電學和機械性質。這些改進對于確保晶圓在后續加工和最終應用中的性能和可靠性至關重要。退火工藝在晶圓制造過程中扮演著至關重要的角色。 1. 退火工藝的定義退火（annealing）是一種熱處理工藝，通過加熱晶圓并保持在一定溫度下，然后再緩慢冷卻，以改變材料的物理和化學性質。這個過程通常在一個專門的爐子中進行。 2. 退火工藝的目的在晶圓制造中，退火有幾個主要目的
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硅晶棒切割成晶圓的技術難點

硅晶棒切割技術涉及多個方面的技術難點，需要綜合考慮機械、材料、熱力學、流體力學等多學科的知識，才能實現高效、高質量的硅片切割。硅晶棒切割是半導體制造過程中至關重要的一步，其技術難點主要集中在以下幾個方面： 1. 切割精度切割硅晶棒需要高度精確，以確保每片硅片的厚度一致。切割過程中的誤差會影響到后續的晶圓加工質量。主要難點包括：刀片的精度：金剛石切割刀片需要具備高精度和高剛性，以避免切割過程中產生偏差。切割設備的穩定性：切割設備必須具備高穩定性和高精度的
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光刻機分類

光刻機按光源類型可分為五類：I-line光刻機、KrF光刻機、ArF光刻機、ArFi光刻機（即ArF浸沒式光刻機，與ArF光刻機相比在曝光過程中在投影物鏡和晶圓之間放置了一層水膜）、EUV光刻機。按照應用領域可分為IC前道光刻機和IC后道光刻機。其中，IC前道光刻機主要應用于芯片制造，而后道光刻機主要用于芯片封裝。隨著IC制程不斷向前推進，IC元件將更加復雜，光刻工藝平均所需的曝光層數不斷增多，這將驅動光刻機需求的增長。未來從7nm節點開始向下，EUV光刻機將逐漸被應用在關鍵層曝光，銷售量
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為什么晶圓先進制程需要FinFET？

FinFET技術在晶圓制造中引入了一種創新的三維晶體管結構，通過增強柵極控制和降低漏電流，實現了更高效的晶體管性能。這對于實現更小、更快、更節能的半導體器件是至關重要的。隨著半導體工藝節點的不斷縮小，FinFET技術的應用也變得越來越普遍和重要。 1. 背景：傳統平面晶體管的局限性在傳統的平面金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）中，隨著工藝節點的縮小（比如從90nm到65nm再到更小的節點），我們遇到了以下技術挑戰：短溝道效應：隨著晶體管的柵極長度縮短，柵極對溝道的控制能力減
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晶圓Fab廠哪家強？臺積電、SMIC、華虹業績、產能PK

收入：中芯國際相當于臺積電的十分之一，華虹相當于中芯國際四分之一
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黑神話悟空的電腦配置參數解釋

《黑神話：悟空》是一款國產的單機動作類角色扮演游戲，以西游記為題材。玩黑神話悟空的電腦最低配置和參數解釋如下：最低配置說明：最低配置是指運行某個軟件或游戲時，設備所需的最低硬件和軟件規格。這意味著，您的電腦至少需要達到這些配置要求，才能正常運行該軟件或者游戲。 1、操作系統：Windows 10 64 位操作系統是電腦運行的基礎軟件，Windows 10 64 位是當前廣泛使用的版本。64 位系統可以處理更多的數據和內存，是現代應用的主流選擇。
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聊聊DRAM的原理、結構、工藝挑戰、未來發展

1. DRAM的基本概念 DRAM（Dynamic Random-Access Memory）是一種存儲數據的半導體器件，廣泛應用于計算機和其他電子設備中。圖：存儲芯片分類與SRAM（靜態隨機存取存儲器）不同，DRAM需要周期性地刷新來保持存儲的數據，這就是“動態”的含義。每個DRAM單元由一個電容器和一個晶體管組成。圖：DRAM和SRAM優劣勢對比圖：利用DRAM做成的內存條 2. DRAM單元結構每個DRAM存儲單元主要由兩個
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