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金航標/薩科微每周之星陳令

2024年09月18日到2024年09月21日，金航標（www.kinghelm.net）/薩科微（www.slkoric.com）“每周之星”經(jīng)過領(lǐng)導和同事們評比，*的是金航標財務部會計陳令，在最近一周工作中，勇于承擔責任，踏實肯干，以完成公司業(yè)績?yōu)槟繕藢虻墓ぷ骶瘢@得公司領(lǐng)導和同事的一致好評，現(xiàn)予以公告嘉獎一次，獎勵人民幣200元。陳令獲金航標/薩科微每周之星 2024年8月，陳令入職到金航標擔任會計一職，作為新員工，對公司的流程、系統(tǒng)和人員都還不熟悉的情況
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電子元器件的下一站是出海？

謝謝9位大佬從廣州、深圳趕來東莞松山湖交流，同時也參加了阿里的電子元件出海培訓，分享一下紀要： 1、中低端電子產(chǎn)業(yè)向東南亞等轉(zhuǎn)移的趨勢歐美→日本、韓國和中國臺灣→中國大陸→東南亞等。最近5年，由于東南亞具備人口紅利、勞動力成本、巨大的需求等優(yōu)勢，中低端的電子產(chǎn)業(yè)逐漸從中國大陸轉(zhuǎn)移到越南等東南亞*。下面以越南為例。 1）廠房租金較低以下是越南海防市的廠房租金報價，大部分在3-4美元/平方米/月。 2）勞動力充沛且* 越南面積相當于云南省那么大，人口約980
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深圳有哪些芯片設計公司？

截至2022年底，深圳合計有587家IC企業(yè)，其中IC設計企業(yè)390家，晶圓制造企業(yè)7家，封測企業(yè)70家，設備企業(yè)79家，材料企業(yè)為41家，主要集中在南山和龍崗等。2022年深圳國產(chǎn)IC設計企業(yè)產(chǎn)值約724億元，僅次于上海1350億元、北京846億元。圖：IC設計行業(yè)產(chǎn)值城市排名，來自清華魏少軍老師深圳主要的IC設計公司如下: 1、已上市芯片企業(yè) 匯頂科技：主要產(chǎn)品為指紋傳感器、光線傳感器、健康傳感器及其他傳感器、觸控產(chǎn)品、音頻產(chǎn)品、安全產(chǎn)品等。預計2023年營業(yè)收入4
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MOS管的核心參數(shù)解析（導通電阻與柵極電荷）

功率管的最主要的應用是控制電流的通斷，即在一定的電壓條件下對流經(jīng)器件的電流進行開關(guān)控制。首先，在可以承受的擊穿電壓的前提下（即器件的工作電壓平臺），器件導通電阻越低，其導通損耗就越低。其次，器件在開關(guān)狀態(tài)間切換時，柵極電荷越小，器件的開關(guān)速度就越快，其動態(tài)損耗就越低。圖：MOS管結(jié)構(gòu) 對于功率MOSFET來說，導通電阻與柵極電荷互為權(quán)衡（trade-off）關(guān)系，因為對于同一個器件結(jié)構(gòu)來說，可以通過并聯(lián)更多重復單元來降低導通電阻，但會導致柵極電荷相應地增加；反之減少器件并聯(lián)的重復單元
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半導體設備有哪些卡脖子的核心零部件？

薄膜沉積是芯片制造的核心工藝環(huán)節(jié)。薄膜沉積技術(shù)是以各類適當化學反應源在外加能量（包括熱、光、等離子體等）的驅(qū)動下激活，將由此形成的原子、離子、活性反應基團等在襯底表面進行吸附，并在適當?shù)奈恢冒l(fā)生化學反應或聚結(jié)，漸漸形成幾納米至幾微米不等厚度的金屬、介質(zhì)、或半導體材料薄膜。芯片是微型結(jié)構(gòu)體，其內(nèi)部結(jié)構(gòu)是3D立體式形態(tài)，襯底之上的微米或納米級薄膜構(gòu)成了制作電路的功能材料層。圖：PE CVD原理圖來自拓荊以薄膜設備CVD為例說明，CVD的核心零部件一般包括射頻系統(tǒng)及等離子體源、大氣及真
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CMP：半導體制造工藝的平滑藝術(shù)

1、CMP工藝簡介 CMP（Chemical Mechanical Polishing）化學機械拋光，是一個將晶圓表面打磨得光滑平整的過程。想象您在打磨一塊寶石，除了手工的磨削，您還往上滴幾滴特制的藥劑，使其快變得光滑，這就是CMP工藝的縮影，它通過化學反應和機械力的配合，將晶圓表磨削到所需的平整度。圖：CMP平坦化前后效果圖 CMP結(jié)合了化學腐蝕和機磨削的原理，用特殊設計的拋光液和砂輪對晶圓進行處理。這一過程中，化學反應使表面材料軟化，而機械磨削則去除軟化的材料，從而實現(xiàn)平坦
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MOS管參數(shù)解析及國內(nèi)外大廠技術(shù)對比

MOSFET的單位面積導通電阻和優(yōu)值系數(shù)(FOM)參數(shù)代表了MOSFET的性能，是各大MOSFET廠商產(chǎn)品參數(shù)展示的關(guān)鍵指標，也是體現(xiàn)MOSFET芯片制造工藝核心技術(shù)能力的關(guān)鍵指標。通常來說，MOS管的單位面積導通電阻值和優(yōu)值系數(shù)值越低表示其性能越好。而超低壓MOSFET不關(guān)注優(yōu)值系數(shù)，單位面積導通電阻值和漏極擊穿電壓之間存在取舍關(guān)系，因此對于超低壓MOSFET選取單位面積導通電阻值和漏極擊穿電壓作為比較指標。單位面積導通電阻(Ronsp)，主要用于衡量功率器件導通狀態(tài)下，
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第三代半導體碳化硅襯底分類、技術(shù)指標、生長工藝、產(chǎn)業(yè)鏈、下游應用等解析

1、第三代半導體特性 (1)碳化硅根據(jù)《中國戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)：新材料(第三代半導體材料)》，與硅相比，碳化硅擁有更為優(yōu)越的電氣特性: ①耐高壓：擊穿電場強度大，是硅的10倍，用碳化硅制備器件可以極大地提高耐壓容量、工作頻率和電流密度，并大大降低器件的導通損耗。 ②耐高溫：半導體器件在較高的溫度下，會產(chǎn)生載流子的本征激發(fā)現(xiàn)象，造成器件失效。禁帶寬度越大，器件的極限工作溫度越高。碳化硅的禁帶接近硅的3倍，可以保證碳化硅器件在高溫條件下工作的可靠性。硅器件的極限工作溫度般不能超過 300
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瀾起科技：存儲接口芯片、發(fā)展歷程

瀾起科技：成立于2004年，2019年上市，擁有互連類芯片和津逮?服務器平臺兩大產(chǎn)品線。瀾起科技是國際*的數(shù)據(jù)處理及互連芯片設計公司。行業(yè)地位：瀾起科技的內(nèi)存接口芯片作為連接CPU和內(nèi)存的“高速公路”,是服務器內(nèi)存模組的必配芯片，已成功進入國際主流內(nèi)存、服務器和云計算領(lǐng)域,產(chǎn)品性能和質(zhì)量受到市場及行業(yè)的高度認可，并占據(jù)全球市場的重要份額。瀾起科技是全球微電子行業(yè)標準制定機構(gòu)JEDEC(固態(tài)技術(shù)協(xié)會)董事會成員,深度參與行業(yè)標準制定，是DDR5內(nèi)存接口芯片(RCD、MDB)國際標準
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CMOS圖像傳感器（CIS）分類及特點

CMOS圖像傳感器根據(jù)感光元件安裝位置，主要可分為前照式結(jié)構(gòu)(FSI)背照式結(jié)構(gòu)(BSI)。在背照式結(jié)構(gòu)的基礎上，還可以進一步改良成堆棧式結(jié)構(gòu)(Stacked)。堆棧式結(jié)構(gòu)系在背照式結(jié)構(gòu)將感光層僅保留感光元件的部分邏輯電路的基礎上進行進一步改良，在上層僅保留感光元件而將所有線路層移至感光元件的下層，再將兩層芯片疊在一起，芯片的整體面積被極大地縮減。此外，感光元件周圍的邏輯電路也相應移至底層，可有效抑制電路噪聲從而獲取更優(yōu)質(zhì)的感光效果。采用堆棧式結(jié)構(gòu)的CMOS圖像傳感器可在同
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